CY14V116N-BZ30XI

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CY14V116N-BZ30XI

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2031
Density

16 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

1Mb x 16
認定

Industrial
速度

30 ns

	推奨
OPN	CY14V116N-BZ30XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	105
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	105
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY14V116N-BZ30XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた16Mビット (1024K×16) のnvSRAMです。30 nsのアクセス速度と、VCAPコンデンサーを使用した電源オフ時のAutoStore機能をサポートしており、STORE/RECALL操作はソフトウェアまたはHSBピン経由でも可能です。165ボールFBGAパッケージで、-40℃～+85℃の温度範囲において、VCC 2.7 V～3.6 V、VCCQ 1.65 V～1.95 Vで動作します。100万回の保管サイクルと20年間のSTORE期間に対応。

特長

16-Mbit nvSRAM (1024K × 16)
各セルにQuantumTrap NVMを搭載
VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
HSBピンまたはソフトウェアシーケンスでSTORE
電源投入時またはソフトウェアシーケンスによるRECALL
全セルの並列STORE/RECALL
STORE/RECALL中はR/Wがブロックされます
バイトにより、8 ビット演算の BHE/BLE が有効
VCCコア電源: 2.7 V～3.6 V
VCCQ I/O電源: 1.65 V～1.95 V
スリープモード電流: 10 μA
データ保持期間: 20年

利点

停電時にもデータを保持
不揮発性バックアップ用のバッテリーはありません
シンプルな電源オフ時のデータ保護
柔軟な保存/復元制御オプション
電源投入時のRECALL機能による高速再起動
決定論的なSTORE/RECALL動作
8ビットまたは16ビットのバス設計をサポートします
スリープ時の低電流で待機電力を削減
VCC/VCCQを分離することでレベルシフトが容易になります
頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
並列転送によりダウンタイムを最小限に抑えます
SRAMへの書き込みが行われていない限り、STORE命令を回避します

アプリケーション

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

CY14V116N-BZ30XI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14V116N-BZ30XI

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