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CY14B256LA-SZ45XIT
生産終了
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RoHS対応

CY14B256LA-SZ45XIT

生産終了
データシート
パッケージ

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CY14B256LA-SZ45XIT
CY14B256LA-SZ45XIT
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B256LA-SZ45XIT
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85127)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85127)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B256LA-SZ45XITは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃、アクセス時間は45 nsです。データは、61～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時に自動的に保存され、最大100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持期間を実現します。STORE/RECALLもソフトウェアまたはHSBピンによって制御されます。

特長

  • 32 K × 8並列SRAMインターフェース
  • セルごとのQuantumTrap不揮発性
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピン制御によるSTORE
  • 6回読み出しシーケンスによるSTORE/RECALL
  • 全セルの並列STORE/RECALL
  • 2.7 V～3.6 V単電源
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAMの読み出し/書き込みサイクルは無制限
  • スタンバイ電流: 最大5 mA
  • 入力リーク電流: ±1 μA (非HSB)

利点

  • 電源喪失時のデータ自動保持
  • データバックアップにバッテリー不要
  • SRAMのようなシンプルなパラレルバス
  • 柔軟なSTORE制御オプション
  • ソフトウェアのみによる保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速復帰
  • 一般的な3 V電源レールに対応
  • 重要データの長期ログ記録
  • 20年間の設定データ保持
  • 無制限の実行時SRAM更新
  • スタンバイモード時の待機電力削減
  • リーク電流に敏感な設計の課題軽減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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