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CY14B256LA-SZ45XIT

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データシート
パッケージ

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CY14B256LA-SZ45XIT
CY14B256LA-SZ45XIT
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B256LA-SZ45XIT
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85127)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85127)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B256LA-SZ45XITは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃、アクセス時間は45 nsです。データは、61～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時に自動的に保存され、最大100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持期間を実現します。STORE/RECALLもソフトウェアまたはHSBピンによって制御されます。

特長

  • 32 K×8パラレルSRAM I/F
  • 各セルQuantumTrap不揮発
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSBピンでSTORE制御
  • 6回読出しでS/R開始
  • 全セル並列STORE/RECALL
  • 単電源2.7 V～3.6 V
  • 不揮発STORE回数1000 K
  • データ保持20年
  • SRAM読書込サイクル無制限
  • スタンバイ電流最大5 mA
  • 入力リーク±1 µA(HSB除く)

利点

  • 電源喪失時のデータ自動保持
  • データバックアップにバッテリー不要
  • SRAMのようなシンプルなパラレルバス
  • 柔軟なSTORE制御オプション
  • ソフトウェアのみによる保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速復帰
  • 一般的な3 V電源レールに対応
  • 重要データの長期ログ記録
  • 20年間の設定データ保持
  • 無制限の実行時SRAM更新
  • スタンバイモード時の待機電力削減
  • リーク電流に敏感な設計の課題軽減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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