CY14B116N-ZSP25XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B116N-ZSP25XI

パッケージ
個.
在庫あり

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CY14B116N-ZSP25XI
CY14B116N-ZSP25XI
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B116N-ZSP25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14B116N-ZSP25XIは、SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた16Mビット (1024K×16) の並列nvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、19.8 µF～82.0 µFのVCAPコンデンサーを使用した電源オフ時のAutoStoreと、電源投入時のRECALL機能を備えています。STORE/RECALLは、ソフトウェアまたはHSBピンによって開始できます。このデバイスは、54ピンTSOP IIパッケージで25 nsのアクセス速度を実現します。

特長

  • 16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル技術
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • 電源投入時のRECALL時間: 30 ms
  • STOREサイクル時間: 8 ms
  • VCAPコンデンサ: 19.8 μF～82 μF

利点

  • 電源喪失時のデータ保持
  • データ保持にバッテリー不要
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
  • SRAM書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープによる待機時消費電力削減
  • 10 µAスリープ対応の低消費電力システム
  • 予測可能なシャットダウン時保存時間
  • シンプルなホールドアップコンデンサーによる設計容易化
  • STORE/RECALL中のアクセス遮断
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ