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生産終了
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RoHS準拠

CY14B116L-ZS25XI

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CY14B116L-ZS25XI
CY14B116L-ZS25XI

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
CY14B116L-ZS25XI
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B116L-ZS25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた16Mビット並列nvSRAM (2048K×8) で、瞬時に不揮発性データを取り込むことができます。動作電圧は2.7 V~3.6 V、動作温度範囲は-40℃~+85℃で、25 nsのアクセス時間に対応しています。AutoStoreは、19.8~82.0 µF VCAPコンデンサーを使用して電源オフ時にSRAMを不揮発性メモリに書き込みます。STORE/RECALLはソフトウェアまたはHSBピンによって制御されます。

特長

  • 16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル技術
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • 電源投入時のRECALL時間: 30 ms
  • STOREサイクル時間: 8 ms
  • VCAPコンデンサ: 19.8 μF~82 μF

利点

  • 電源喪失時のデータ保持
  • データ保持にバッテリー不要
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
  • SRAM書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープによる待機時消費電力削減
  • 10 µAスリープ対応の低消費電力システム
  • 予測可能なシャットダウン時保存時間
  • シンプルなホールドアップコンデンサーによる設計容易化
  • STORE/RECALL中のアクセス遮断

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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