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RoHS準拠

CY14B108N-ZSP25XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B108N-ZSP25XI
CY14B108N-ZSP25XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B108N-ZSP25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 216
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 216
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B108N-ZSP25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた8MビットのnvSRAM (512K×16) です。電源オフ時のAutoStoreと電源オン時のRECALLをサポートしており、STORE/RECALLはソフトウェアまたはHSBピンによっても開始できます。このデバイスは、-40℃～+85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの電圧で動作し、25 nsのアクセス時間、100万回のSTOREサイクル、20年間のデータ保持期間を54ピンTSOP IIパッケージで実現します。

特長

  • 8 Mbit nvSRAM、SRAM I/F
  • アクセス最短20 ns
  • 電源断でAutoStore
  • STOREはSW/HSBピン
  • RECALLはSW/電源投入
  • QuantumTrap不揮発セル
  • データ保持20年
  • STORE耐久1,000K回
  • 単一3 V電源2.7-3.6 V
  • VCAP 122-360 uF
  • 2.65 V未満でR/W禁止
  • 電源投入RECALL 20 ms

利点

  • バッテリー不要でSRAM並みの速度
  • 20 nsによるメモリアクセスレイテンシ低減
  • シャットダウン時のデータ自動保存
  • 柔軟なバックアップ: SWまたはHSB制御
  • 電源復旧後の高速復元
  • 高信頼性QuantumTrapバックアップ
  • 更新なしで長時間データを保持
  • 頻繁な電源イベントへの耐性
  • シンプルな3 V電源レールによるレギュレーター削減
  • 小型コンデンサーによる簡易バックアップHW
  • ブラウンアウト時のデータ破損防止
  • 20 msのRECALLによるシステム起動高速化

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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