CY14B108N-ZSP25XI
Active and preferred
RoHS対応

CY14B108N-ZSP25XI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B108N-ZSP25XI
CY14B108N-ZSP25XI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B108N-ZSP25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14B108N-ZSP25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた8MビットのnvSRAM (512K×16) です。電源オフ時のAutoStoreと電源オン時のRECALLをサポートしており、STORE/RECALLはソフトウェアまたはHSBピンによっても開始できます。このデバイスは、-40℃～+85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの電圧で動作し、25 nsのアクセス時間、100万回のSTOREサイクル、20年間のデータ保持期間を54ピンTSOP IIパッケージで実現します。

特長

  • SRAMインターフェース搭載8 MビットnvSRAM
  • 最短20 nsの高速アクセス時間
  • 電源断時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル
  • データ保持期間: 20年
  • STORE耐久: 100万回
  • 単一3 V電源: 2.7 V～3.6 V
  • VCAPコンデンサ: 122 μF～360 μF
  • 2.65 V未満では読み出し/書き込みを禁止
  • 電源投入時のRECALL時間: 20 ms

利点

  • バッテリー不要でSRAM並みの速度
  • 20 nsによるメモリアクセスレイテンシ低減
  • シャットダウン時のデータ自動保存
  • 柔軟なバックアップ: SWまたはHSB制御
  • 電源復旧後の高速復元
  • 高信頼性QuantumTrapバックアップ
  • 更新なしで長時間データを保持
  • 頻繁な電源イベントへの耐性
  • シンプルな3 V電源レールによるレギュレーター削減
  • 小型コンデンサーによる簡易バックアップHW
  • ブラウンアウト時のデータ破損防止
  • 20 msのRECALLによるシステム起動高速化

アプリケーション

汎用モータードライブ
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ