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RoHS準拠

CY14B108M-ZSP45XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B108M-ZSP45XI
CY14B108M-ZSP45XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B108M-ZSP45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 216
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ 216
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B108M-ZSP45XIは、リアルタイムクロックを内蔵した8MビットのnvSRAM (512K×16) で、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせたものです。54ピンTSOPIIパッケージで、45 nsのアクセス速度と、-40℃～85℃の温度範囲における2.7 V～3.6 Vの動作電圧をサポートします。電源オフ時のAutoStoreと電源オン時のRECALL機能により、ファームウェアを使用せずにデータを保護します。20年間のデータ保持期間と100万回のSTOREサイクルに加え、アラーム機能とウォッチドッグタイマーが規定されています。

特長

  • 8-Mbit nvSRAM+RTC内蔵
  • 1024 K×8/512 K×16
  • 電源断で自動AutoStore
  • SW/HSBピンでSTORE
  • SW/起動時にRECALL
  • QuantumTrap不揮発素子
  • STORE耐久1,000 K回
  • データ保持20年
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • RTCバックアップ0.5 uA max
  • RTC電池入力1.8 V～3.6 V
  • リード25 nsまたは45 ns

利点

  • SRAMバッテリーなしでデータを保持
  • 停電時のオーバーヘッドはゼロ
  • 柔軟な保存/復元システム制御
  • 不揮発性技術が信頼性を向上
  • ログ記録のための高いSTORE耐久性
  • 20年間のデータ保持によるサービスリスク低減
  • 3 Vレールは一般的な組み込みボードに対応
  • 超低消費電力RTCバックアップにより寿命が延長
  • コイン型電池またはスーパーキャパシタによるバックアップに対応
  • リアルタイムタスクのための高速SRAM読み出し
  • 電源投入時のRECALL機能で状態を素早く復元
  • 内蔵RTCにより外部部品が削減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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