CY14B101LA-SZ25XI

データシート

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CY14B101LA-SZ25XI
CY14B101LA-SZ25XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1024 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14B101LA-SZ25XIは1 Mbit nvSRAM（128 K×8）で、各SRAMセルにQuantumTrap不揮発素子を内蔵。単一電源2.7 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作し、データ保持20年、STORE耐久性1,000 K回。外付けVCAP（61 µF～180 µF）で電源断時に自動STOREし、ソフトウェア/HSBピンでSTORE/RECALLも可能。25 nsアクセス、32ピンSOIC。

特長

  • QuantumTrap nvSRAM構造
  • 1 Mbit SRAM＋不揮発保存
  • VCAPで電源断AutoStore
  • HSB/ソフトでSTORE開始
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • tSTORE最大8 ms
  • tHRECALL最大20 ms
  • tRECALL最大200 µs
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1000K回
  • VCC<2.65 Vで書込み禁止

利点

  • 突然の電源断でもデータ保持
  • NVM管理用FWを削減
  • 復電後すばやく復元
  • HW/SW両方で制御可能
  • 保存時間が予測可能(≤8 ms)
  • 起動時リコール予測(≤20 ms)
  • ブラウンアウトで誤書込み防止
  • 3 V電源で一般ロジックに適合
  • 20年保持でログ用途に適合
  • 100万回STOREで頻繁保存
  • 無制限SRAM R/Wで高頻度対応
  • HSBビジーでタイミング簡単

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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