CY14B101LA-SZ25XI

データシート

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CY14B101LA-SZ25XI
CY14B101LA-SZ25XI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1024 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CY14B101LA-SZ25XIは、各SRAMセルにQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを搭載した1MビットのnvSRAM (128K×8) です。動作温度範囲−40℃～+85℃で、2.7〜3.6 Vの単一電源で動作し、20年のデータ保持と100万回のSTORE耐久性を備えています。電源オフ時の自動STORE機能は、外部VCAPコンデンサー (61 μF～180 μF) を使用します。STORE/RECALLは、ソフトウェアまたはHSBピンによっても開始できます。アクセス時間は25 ns、32ピンSOICパッケージで提供されます。

特長

  • QuantumTrap nvSRAM構造
  • 1 Mbit SRAM＋不揮発保存
  • VCAPで電源断AutoStore
  • HSB/ソフトでSTORE開始
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • tSTORE最大8 ms
  • tHRECALL最大20 ms
  • tRECALL最大200 µs
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1000K回
  • VCC<2.65 Vで書込み禁止

利点

  • 突然の停電時のデータ保持
  • NVM管理用ファームウェアを削減
  • 電源復旧後の高速復元
  • ハードウェア制御とソフトウェア制御の両方に対応
  • 予測可能な保存時間 (最大8 ms)
  • 予測可能なブートリコール (20 ms)
  • ブラウンアウト時の書き込み破損なし
  • 3 V電源による一般的なロジックレールに適合
  • ログ記録に適した20年間のデータ保持
  • 100万回のSTORESによる頻繁な保存対応
  • 高トラフィックに対応する無制限のSRAM読み出し/書き込み
  • ビジーフラグ (HSB) によりタイミングを簡素化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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