BSZ0909ND

データシート

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BSZ0909ND
BSZ0909ND
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    20 A
  • IDpuls max
    40 A
  • Ptot max
    17 W
  • Qgd
    0.5 nC
  • QG (typ @10V)
    3.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    1.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    18 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    25 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    25 mΩ
  • RthJA max
    180 K/W
  • RthJC max
    7.5 K/W
  • Rth
    7.5 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    Symmetrical Dual 3x3
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.4
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The used OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC-DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.

機能

  • Ultra-low Q g
  • Symmetric half bridge in a small 3.0x3.0mm² package outline
  • Exposed pads
  • Logic level (4.5V rated)
  • RoHS compliant 6/6 (full lead free)

利点

  • Low switching losses
  • High switching frequency operation
  • Lowest parasitics
  • Low operating temperature
  • Low gate drive losses
  • RoHS 6/6 lead free product 

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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