BSZ0909ND

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データシート

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BSZ0909ND
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • IDpuls (最大)
    40 A
  • Ptot (最大)
    17 W
  • Qgd
    0.5 nC
  • QG (typ @10V)
    3.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    1.8 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    18 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    25 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    25 mΩ
  • RthJA (最大)
    180 K/W
  • RthJC (最大)
    7.5 K/W
  • Rth
    7.5 K/W
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    Symmetrical Dual 3x3
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.4
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The used OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC-DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.

特長

  • Ultra-low Q g
  • Symmetric half bridge in a small 3.0x3.0mm² package outline
  • Exposed pads
  • Logic level (4.5V rated)
  • RoHS compliant 6/6 (full lead free)

利点

  • Low switching losses
  • High switching frequency operation
  • Lowest parasitics
  • Low operating temperature
  • Low gate drive losses
  • RoHS 6/6 lead free product 

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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