Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BGSX33M5U16

3P3T MIPI 2.1 antenna cross switch
データシート
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BGSX33M5U16
BGSX33M5U16
EA.
データシート

Product details

  • Pmax
    38 dBm
  • サイズ
    2.0 x 2.0 mm²
  • スイッチ タイプ
    3P3T
  • 制御インターフェース
    MIPI 2.1
  • 周波数範囲
    0.4 – 7.125 GHz
  • 挿入損失
    0.41 dB
  • 絶縁
    45 dB
  • 電源電圧
    1.65 – 1.95 V
推奨
OPN
BGSX33M5U16E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-ULGA-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-ULGA-16
パッケージ名 -
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGSX33M5U16 RF CMOS switch is specifically designed for LTE and 5G antenna applications. This 3P3T cross-switch offers low insertion loss and low harmonic generation.The switch is controlled via a MIPI RFFE control interface. The on-chip controller allows power-supply voltages from 1.65 to1.95 V. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. The device has a very small size of only 2.0 mm x 2.0 mm and a thickness of 0.6 mm.

機能

  • High linearity up to 38 dBm peak power
  • Fast switching time (max 2 µs) for 5G SRS applications
  • Low insertion loss and high port to port isolation up to 7.125 GHz
  • Enhanced isolation mode
  • Low power consumption allows supply VIO
  • MIPI RFFE 2.1 control interface
  • Software and hardware programmable USID
  • RoHS and WEEE compliant package

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }