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BGSX33M5U16
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BGSX33M5U16

生産終了
3P3T MIPI 2.1 antenna cross switch
データシート

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BGSX33M5U16
BGSX33M5U16
データシート


製品仕様情報

  • Pmax
    38 dBm
  • サイズ
    2.0 x 2.0 mm²
  • スイッチ タイプ
    3P3T
  • 制御インターフェース
    MIPI 2.1
  • 周波数範囲 範囲
    0.4 GHz～7.125 GHz
  • 周波数範囲
    0.4 – 7.125 GHz
  • 挿入損失
    0.41 dB
  • 絶縁
    45 dB
  • 電源電圧 範囲
    1.65 V～1.95 V
  • 電源電圧
    1.65 – 1.95 V

OPN
BGSX33M5U16E6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ PG-ULGA-16
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 4500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
JP

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ PG-ULGA-16
パッケージ名 -
梱包サイズ 4500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
JP
The BGSX33M5U16 RF CMOS switch is specifically designed for LTE and 5G antenna applications. This 3P3T cross-switch offers low insertion loss and low harmonic generation.The switch is controlled via a MIPI RFFE control interface. The on-chip controller allows power-supply voltages from 1.65 to1.95 V. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. The device has a very small size of only 2.0 mm x 2.0 mm and a thickness of 0.6 mm.

特長

  • High linearity up to 38 dBm peak power
  • Fast switching time (max 2 µs) for 5G SRS applications
  • Low insertion loss and high port to port isolation up to 7.125 GHz
  • Enhanced isolation mode
  • Low power consumption allows supply VIO
  • MIPI RFFE 2.1 control interface
  • Software and hardware programmable USID
  • RoHS and WEEE compliant package
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ