BGA9H1MN9
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BGA9H1MN9

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パッケージ
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BGA9H1MN9
BGA9H1MN9
個.
データシート

製品仕様情報

  • ICC
    5.8 mA
  • IIP3
    -9 dBm
  • IP1dB
    -13 dBm
  • NF
    0.6 dB
  • P-1dB
    -13 dBm
  • VCC 動作時
    1.1 - 2.0 V
  • ゲイン
    20.2 dB
  • サイズ
    1.1 x 1.1 mm²
  • 周波数
    1400 - 2700 MHz
推奨
OPN
BGA9H1MN9E6329XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The BGA9H1MN9 is a low noise amplifier for LTE and 5G which covers a wide frequency range from 1.4 GHz to 2.7 GHz. The LNA provides up to 20.2 dB gain and 0.6 dB noise figure at a current consumption of 5.8 mA in the application configuration described in Chapter 7. With the Gain Step feature the gain and linearity can be adjusted to increase the system dynamic range and to accommodate to changing interference scenarios. The BGA9H1MN9 supports ultra-low bypass current of 2 µA and 1.2 V operating voltage to reduce power consumption. It operates from 1.1 V to 2.0 V supply voltage over temperature. The compact9 pin TSNP-9 package with the dimension of 1.1 x 1.1 mm helps to save space on the PCB.

特長

  • Power gain: 20.2 dB
  • Low noise figure: 0.6 dB
  • Low current consumption: 5.8 mA
  • Frequency range from 1.4 to 2.7 GHz
  • Supply voltage: 1.1 to 2.0 V
  • Integrated MIPI RFFE interface operating in 1.65 to 1.95 V voltage range
  • Software programmable MIPI RFFE USID
  • USID select pin
  • Small form factor 1.1 mm x 1.1 mm
  • High EMI robustness
  • RoHS and WEEE compliant package
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ