新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

BGA5H1BN6

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGA5H1BN6
BGA5H1BN6
EA.
データシート

製品仕様情報

  • I
    8.5 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • NF
    0.7 dB
  • P-1dB (in)
    -17 dBm
  • VCC動作
    1.5 V to 3.6 V
  • ゲイン
    18.1 dB
  • 周波数
    2300 - 2690 MHz
OPN
BGA5H1BN6E6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TSNP-6-10
パッケージ名 N/A
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TSNP-6-10
パッケージ名 -
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGA5H1BN6 is a front-end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300 MHz to 2690 MHz. The LNA provides 18.1 dB gain and 0.7 dB noise figure at a current consumption of 8.5 mA. In bypass mode the LNA provides an insertion loss of 5.2 dB.The BGA5H1BN6 is based upon Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage. The device features a single-line two-state control (bypass- and high gain-mode). OFF-state can be enabled by powering down VCC.

機能

  • Operating frequencies: 2300 - 2690 MHz
  • Insertion power gain: 18.1 dB
  • Insertion Loss in bypass mode: 5.2 dB
  • Low noise figure: 0.7 dB
  • Low current consumption: 8.5 mA
  • Multi-state control: bypass- and high gain-mode
  • Ultra small TSNP-6-2 and TSNP-6-10 leadless package
  • RF output internally matched to 50 Ohm
  • Low external component count

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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