BGA10M1MN9
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BGA10M1MN9

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BGA10M1MN9
BGA10M1MN9
個.
データシート

製品仕様情報

  • ICC
    6.2 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • IP1dB
    -20 dBm
  • NF
    0.85 dB
  • P-1dB
    -20 dBm
  • VCC 動作時
    1.1 - 2.0 V
  • ゲイン
    20.6 dB
  • サイズ
    1.1 x 1.1 mm²
  • 周波数
    1800 – 2200 MHz
推奨
OPN
BGA10M1MN9E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 12000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 12000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The BGA10M1MN9 is designed for 4G and 5G applications covering 3GPP Bands between 1.8 and 2.2 GHz (e.g. B1 and B3). As a result of high gain and an ultra-low Noise Figure performance of the LNA frontend losses can be compensated and the data rate can be signifiantly improved. The MIPI interface provides a comprehensive control over multiple gain modes and bias modes to increase the overall system dynamic range.

特長

  • Frequency range from 1.8 to 2.2 GHz
  • Power gain: 20.6 dB
  • Low noise figure: 0.85 dB
  • Low current consumption: 6.2 mA
  • Gain mode support for MediaTek, LSI and Qualcomm platforms
  • MIPI RFFE 3.0
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Support of 1.2 V and 1.8 V VDD/VIO
  • Software programmable MIPI RFFE USID
  • 4 USIDs supported
  • Small form factor 1.1 mm x 1.1 mm
  • RoHS and WEEE compliant package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }