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RoHS準拠
鉛フリー

BGA10M1MN9

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGA10M1MN9
BGA10M1MN9
EA.
データシート

Product details

  • ICC
    6.2 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • IP1dB
    -20 dBm
  • NF
    0.85 dB
  • P-1dB
    -20 dBm
  • VCC operating
    1.1 - 2.0 V
  • Gain
    20.6 dB
  • Size
    1.1 x 1.1 mm²
  • Frequency
    1800 – 2200 MHz
推奨
OPN
BGA10M1MN9E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-9
パッケージ名 -
包装サイズ 12000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGA10M1MN9 is designed for 4G and 5G applications covering 3GPP Bands between 1.8 and 2.2 GHz (e.g. B1 and B3). As a result of high gain and an ultra-low Noise Figure performance of the LNA frontend losses can be compensated and the data rate can be signifiantly improved. The MIPI interface provides a comprehensive control over multiple gain modes and bias modes to increase the overall system dynamic range.

機能

  • Frequency range from 1.8 to 2.2 GHz
  • Power gain: 20.6 dB
  • Low noise figure: 0.85 dB
  • Low current consumption: 6.2 mA
  • Gain mode support for MediaTek, LSI and Qualcomm platforms
  • MIPI RFFE 3.0
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Support of 1.2 V and 1.8 V VDD/VIO
  • Software programmable MIPI RFFE USID
  • 4 USIDs supported
  • Small form factor 1.1 mm x 1.1 mm
  • RoHS and WEEE compliant package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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