AUIRFN8458

AUIRFN8458

40 V, N-Ch, 10 mΩ max, Automotive MOSFET, Dual PQFN 5mm x 6mm, Trench MOSFET
データシート

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AUIRFN8458
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    43 A
  • Qgd
    7.6 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    33 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    10 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    10 mΩ
  • RthJA
    105 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.9 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • モイスチャー感度レベル
    MSL_1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    Trench Mosfet
  • 極性
    N+N
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Designed for automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features include 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These attributes make it an efficient and reliable choice for automotive and various other applications.

特長

  • Advanced Process Technology
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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