Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

AIMCQ120R080M1T

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in Q-DPAK top-side cooled package
EA.
在庫あり

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AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T
EA.

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) max
    34 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    80 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    PG-HDSOP-22
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 発売年
    2024
  • 認定
    Automotive
OPN
AIMCQ120R080M1TXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200 V in Q-DPAK package is tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture. Leveraging Top-Side-Cooling (TSC) technology, it can provide customers with an outstanding thermal performance, easier assembly and reduced system cost. Compared to back-side cooling, TSC provides an optimized PCB assembly, thus eliminating parasitic effects and providing much lower stray inductances. 

機能

  • 0V turn-off
  • Creepage  4.8mm
  • Symmetrical lead layout
  • .XT technology

利点

  • Lower package parasitics
  • Lower switching losses
  • Simplified design
  • Optimized PCB assembly

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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