Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

6ED2231S12C

1200 V、0.65 Aブートストラップダイオード、過電流保護を内蔵した三相ゲートドライバ ICベアダイ
データシート

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6ED2231S12C
6ED2231S12C
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VBS UVLO (Off)
    11.3 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • チャネル
    6
  • 伝搬遅延オフ
    650 ns
  • 伝搬遅延オン
    700 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.35 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.65 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
推奨
OPN
6ED2231S12CX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EiceDRIVER™ 1200 V 三相ゲート ドライバは、ウェーハ オン フィルムを使用し、ソース電流0.35 A、シンク電流0.65 Aです。6ED2231S12Cは、インフィニオンの1200 V SOI技術を活用することで、低オン抵抗内蔵ブートストラップ ダイオード (BSD) や、最高クラスの堅牢性による負の過渡電圧スパイク保護など、独自の利点を提供します。約6 kWまでの設計に対応します。サンプル ウェーハのご購入については、弊社営業所までお問い合わせください。

機能

  • 1200 V 薄膜SOIテクノロジー
  • 超高速ブートストラップ ダイオードを内蔵
  • 100 Vの負の過渡電圧耐量
  • 出力ソース/シンク電流容量+0.35 A/0.65 A
  • 過電流保護 (+/-5%)
  • デッドタイム保護回路内蔵
  • シュートスルー保護回路
  • VCCとVBSに独立した低電圧保護回路を内蔵
  • フォールトクリア、イネーブル機能同一端子で実現
  • 全チャネルのマッチング伝搬遅延時間
  • 3.3 V、5 V、15 Vの入力ロジック

利点

  • BSダイオード内蔵によるコスト削減
  • 負のVS過渡耐性100 Vによる高い信頼性の実現
  • レベルシフトの電力損失を50%削減
  • 保護機能内蔵によるコスト削減
  • 低電源電圧保護 (UVLO)

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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