新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

1EDN7146G

EiceDRIVER™ 200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs
データシート
パッケージ

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1EDN7146G
1EDN7146G
データシート

Product details

  • アイソレーション タイプ
    Non-isolated
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-VSON-10
  • 伝搬遅延オフ
    125 ns
  • 伝搬遅延オン
    125 ns
  • 出力電流
    0.5 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.5 A
  • 出力電流 (Source)
    0.5 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    200 V
OPN
1EDN7146GXTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-10
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-10
パッケージ名 -
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The EiceDRIVER™ 1EDN7146G is a single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky gate (SG) HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with fast-switching transistors, including Truly Differential Input (TDI), 0.5 A peak source and sink current, active Miller clamp, adjustable charge pump, and bootstrap voltage clamp.

機能

  • 52mW idle power and >80% eff @2W 8Ω
  • Inductor-less output filtering
  • Excellent EMI performance
  • 0.03% low THD+N, 52μVrms AW noise
  • 2x BTL, 1x PBTL
  • Configurable DSP flows

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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