Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

1EDN7116G

EiceDRIVER™ 200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs
EA.
在庫あり

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1EDN7116G
1EDN7116G
EA.

Product details

  • アイソレーション タイプ
    Non-isolated
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-VSON-10
  • 伝搬遅延オフ
    55 ns
  • 伝搬遅延オン
    55 ns
  • 出力電流
    2 A
  • 出力電流 (Sink)
    2 A
  • 出力電流 (Source)
    2 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    200 V
OPN
1EDN7116GXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The EiceDRIVER™ 1EDN7116G is a single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky gate (SG) HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with fast-switching transistors, including Truly Differential Input (TDI), 2 A peak source and sink current, active Miller clamp, adjustable charge pump, and bootstrap voltage clamp.

機能

  • Multi-level switching technology
  • 2×80W peak output power
  • +4V to +26V PVDD
  • 2.0, 2.1, 4.0, 1.0 configurations
  • 4th order feedback error control
  • 160mW Idle power dissipation
  • 80% efficiency at 2W power
  • 91% efficiency at full Power
  • 110dB SNR, AW, 1% THD+N level
  • 140µV output integrated noise (A-w)
  • 0.007% THD+N at high output levels
  • I2C with selectable addresses

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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