新規設計は非推奨

GS65011-EVBEZ

Open-loop boost converter evaluation board designed to evaluate GaN EZDrive solution with a GaN power transistor
ユーザーマニュアル

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GS65011-EVBEZ
GS65011-EVBEZ
ユーザーマニュアル

製品仕様情報

  • 入力タイプ
    DC
  • 入力電圧
    0 V to 200 V
  • 電力 max
    200 W
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The GS65011-EVBEZ is a GaN-based open-loop DC/DC boost converter. It is assembled with the EZDrive GaN driving circuit, a Si MOSFET PWM controller and the CoolGaN™ power transistor GS-065-011-1-L in 5×6 PDFN package. The PWM control signal is generated internally by the PWM controller, U2. The EZDrive uses a Si MOSFET controller to drive the GaN power transistor It is composed of two Zener diodes, one capacitor, three resistors and one diode.

機能

  • Si MOSFET converter for GaN E-HEMTs
  • Eliminates redundant GaN drivers & LDOs
  • Controllable turn ON / OFF slew rate

利点

  • Low cost
  • Low component count
  • Smaller board area

用途

Bill of Material

ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション