EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

CoolGaN™ 600V e-mode HEMT half-bridge evaluation platform featuring GaN EiceDRIVER™

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EVAL_1EDF_G1_HB_GAN
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製品仕様情報

  • Pout 範囲
    0 W～2500 W
  • インターフェース
    MMCX, Pluggable terminal block (Supplied)
  • トポロジー
    Boost, Buck, Half Bridge, LLC
  • ファミリー
    CoolGaN™ EiceDRIVER™
  • ボードタイプ
    Evaluation Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 出力電圧 範囲
    0 V～450 V
  • 出力電流 範囲
    0 A～35 A
  • 周波数 範囲
    0 MHz～3 MHz
  • 対象アプリケーション
    Power Supplies
  • 製品名
    EVAL_1EDF_G1_HB_GAN
  • 認定
    Industrial
  • 電源電圧 範囲
    0 V～450 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The 600V gallium nitride (GaN) half-bridge evaluation board enables rapid setup and testing of CoolGaN™ transistors for boost, buck, pulse, or continuous full-power operations. It eliminates the need for a gate driver and power circuit design, offering up to 12A continuous currents, 35A peak currents, and an operating frequency of several MHz.

特長

  • GaN half-bridge with GaN driver ICs
  • Multi-MHz switching frequencies
  • Zero reverse-recovery
  • Shift between hard, soft switching
  • Top-side cooling, power dissipation

利点

  • Easy setup and use
  • Multiple configurations possible
  • GaN high-frequency evaluation
  • Evaluation: LR, overshoot, EMI
  • Multi kW power levels evaluation

アプリケーション

Bill of Material

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション