EVAL-1ED020I12-BT
新規設計非推奨

EVAL-1ED020I12-BT

Evaluation Board for 1200 V 1ED020I12-BT single high-side gate driver IC
Application note

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EVAL-1ED020I12-BT
EVAL-1ED020I12-BT
Application note

製品仕様情報

  • Pout 範囲
    0 W～20000 W
  • アプリケーション
    Solar, UPS
  • インターフェース
    Others
  • サブアプリケーション
    Power Management, Solar, UPS
  • トポロジー
    Half Bridge
  • ファミリー
    CoolSiC™ MOSFET, Gate Driver, IGBT Discrete
  • ボードタイプ
    Evaluation Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 出力電圧 範囲
    15 V～800 V
  • 出力電流 (Sink)
    2 A
  • 出力電流 (Source)
    2 A
  • 出力電流 範囲
    0 A～25 A
  • 周波数 範囲
    0 kHz～20 kHz
  • 実装
    Surface Mount (SMD), Through Hole
  • 対象アプリケーション
    Data Processing, Electromobility, Industrial, Motor Control & Drives, Power Supplies, Smart Grid, Solar Energy Systems
  • 製品名
    EVAL-1ED020I12-BT
  • 認定
    Industrial
  • 電源電圧 範囲
    15 V～800 V
OPN
EVAL1ED020I12BTTOBO1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ N/A
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 0
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This gate driver evaluation board was developed to show the functionalities and key features of the IGBT gate driver 1ED020I12-BT (applied also to 1ED020I12-FT ) galvanic isolated single channel IGBT driver IC with CT technology for 600V/1200V IGBTs .

特長

  • 1200V coreless transformer ICs
  • 2 A rail-to-rail outputs
  • Protection function
  • VCEsat-detection
  • Active Miller Clamp
  • Two level turn off

アプリケーション

Bill of Material

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション