CoolSiC製品

比類ない信頼性、多様な製品ラインアップ、システムの利点。それはインフィニオンのSiCテクノロジーです!

炭化ケイ素(SiC)技術の開発において20年以上の歴史を持つパワー半導体のリーディングサプライヤーとして、よりスマートで効率的な発電、送電、消費ニーズに対応する準備が整っています。インフィニオンの専門家は、システムの複雑さを軽減するのに何が必要か理解しており、中・大電力システムのシステムコストとサイズ削減に導きます。

豊富な製品ラインアップにより、最高の品質基準の達成、システムの長寿命化と高い信頼性が保証されています。 インフィニオンは、完全なサプライチェーンを持ち、シリコン (Si)、窒化ガリウム (GaN)、炭化ケイ素(SiC) の包括的な設計サポートを提供しています。 炭化ケイ素(SiC)の信頼できるサプライヤーのインフィニオンとパートナーを組み、お客様の個別の設計やシステムの要件に関わらず、技術革新に積極的にご参加ください。

Wide-Bandgap Developer Forum - 16 April 2024

Don’t miss Infineon’s Wide-Bandgap Developer Forum on 16 April 2024. This forum has been an exciting event for many years, bringing together experts from the fields of SiC and GaN. Just take a look at the agenda and register today! 

CoolSiC™ portfolio

インフィニオンの炭化ケイ素 (SiC) 製品ラインアップに関する詳細情報

インフィニオンは、既存のシリコンデバイスに加えて、トレンチ技術を用いた革新的なCoolSiC™ MOSFETなど、、炭化ケイ素 (SiC) のラインアップを継続的に拡大しています。 現在、インフィニオンは、超低電圧から高電圧のパワーデバイスまで、業界で最も包括的なパワー半導体のラインアップの一つをを提供しています。

 

インフィニオンは、最適なソリューションを確実に提供するのみならず、特定のアプリケーション要件を満たすために、炭化ケイ素ベースの製品をさらにをさらに最適化しています。 CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁型ゲートドライバを使用することで、より簡単に取り扱うことができます。インフィニオンではコアレス・トランス技術を採用したガルバニック絶縁型のEiceDRIVER™ゲートドライバICをお客様に提供します。

 

インフィニオンは近年、数百万個のハイブリッドモジュール(シリコンベースの高速スイッチとCoolSiC™ショットキーダイオードの組み合わせ)を製造しており、優れた技術的専門知識を積み上げ、キャパシティを増加し、技術的リーダーシップの地位をさらに強化しています。

This video highlights the benefits of CoolSiC™, as seen through the eyes of our customers. Featuring testimonials from alpitronic, Tritium, Lite-On, Siemens Mobility, and Fronius, we see how SiC is driving innovation in energy generation, storage, and consumption.

勝利チーム:CoolSiC™ MOSFETsとEiceDRIVER™の組み合わせ

SiC MOSFETを使用して最大のシステムメリットを得ようとする場合、インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETとEiceDRIVER™ゲートドライバーICを組み合わせ、SiC技術の利点を最大限に活用することをお勧めします。効率向上、小型化・軽量化、部品点数の削減、システムの信頼性向上などの効果が期待できます。

EiceDRIVER™ゲートドライバーは、以下のタイプからお選びいただけます。

  • 1chハイサイドコンパクトゲートドライバ
  • 短絡保護機能内蔵1chおよび2chドライバ
  • 過酷な要求に対応するスルーレート制御を搭載するハイサイドドライバ

20年以上にわたる市場での実績がある信頼できるパートナーです。

追加ドキュメント

製品セレクションガイド