インフィニオンの車載用の新CoolSiC™ MOSFET 1200 Vがフォルヴィア ヘラーの次世代充電ソリューションに採用

テクノロジーニュース

2025/01/30

 

 

2025年1月29日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE：IFX / OTCQX：IFNNY) は、車載アプリケーション向けの新しいCoolSiC™ MOSFET 1200 Vが国際的な自動車部品サプライヤーであるフォルヴィア ヘラー (FORVIA HELLA) の次世代800 V DCDCソリューションに採用されたことを発表しました。このCoolSiC™ MOSFET は、800Vバッテリーシステムのオンボード チャージャー (OBC) およびDCDCコンバーター向けに設計されており、Q-DPAKパッケージで提供されています。上面冷却 (TSC) 技術により、優れた放熱性、容易な組み立て、システムコストの削減を実現しています。

 

インフィニオンの車載用高耐圧チップおよびディスクリート担当バイス プレジデントのロバート ヘルマン (Robert Hermann) は「私たちはTSCパッケージによる高効率のSiC製品が採用され、フォルビア ヘラーと引き続き協業できることを嬉しく思っています。インフィニオンは、性能、品質、システムコストに関する自動車業界の厳しい要件を満たす最先端のSiCソリューションを提供することで、eモビリティを次のレベルに引き上げる取り組みを継続していきます」と述べています。

 

フォルビア ヘラーのエレクトロニクス部門取締役のグイード シュッテ (Guido Schütte) 氏は「私たちは常にお客様を中心に考えています。だからこそ当社の次世代DCDCコンバーターにインフィニオンの車載用CoolSiC™ MOSFET 1200Vを採用しました。インフィニオンとともに、今後もサステナブルで革新的な製品と包括的なサービスを提供し、お客様の期待を超え、先進的なモビリティの開発を推進していきます」と述べています。

 

インフィニオンの新しい車載アプリケーション向けCoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAKパッケージは、性能最適化チップ技術 (Gen1p) をベースに、V GS(off)=0VおよびV GS(on)=20 Vの範囲の駆動電圧を提供します。0 Vターンオフによりユニポーラ ゲート制御が可能になり、PCB上の部品点数を削減でき、設計が簡素化されます。パッケージの沿面距離が4.8 mmのため、絶縁コーティングを追加することなく、動作電圧900 V以上を実現しています。上面放熱は、下面放熱と比較して、寄生効果を低減し、漏れインダクタンスを大幅に低減することで、PCBアセンブリを最適化します。その結果、お客様はパッケージ寄生成分とスイッチング損失の低減によるメリットを得ることができます。インフィニオンの.XT接合技術を使ったチップの拡散はんだ技術により、放熱性をより向上させています。

 

供給状況について

Q-DPAKパッケージの車載アプリケーション向けCoolSiC™ MOSFET 1200 Vは現在入手可能です。 詳細については、 www.infineon.com/Q-DPAKをご覧ください。

 

 

About Infineon

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,060人の従業員を擁し (2024年9月末時点)、2024会計年度 (2023年10月～2024年9月) の売上高は約150億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウエブサイト https://www.infineon.com/　Follow us:  X -  Facebook -  LinkedIn

Press Photos

1200V CoolSiCMOSFET

1200V CoolSiCMOSFET

FORVIA HELLA has chosen Infineon's new CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V for its next-generation 800 V DCDC charging solution, which offers excellent thermal performance, easier assembly, and lower system costs.

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Information Number : INFATV202501-047j