高性能IGBTベアダイで自動車の電動化を加速

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) は、パワーエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たす半導体デバイスの一種です。IGBTは、MOSFET とバイポーラ トランジスタの両方の利点を組み合わせることで、さまざまなアプリケーションに優れた高性能スイッチング要素を提供します。

インフィニオンのSi IGBTおよびダイオード テクノロジーは、自動車アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。当社のSi IGBTとダイオードは、高電圧、高電流容量、そして効率的なスイッチング性能を備えており、電動パワートレインなどのさまざまな自動車システムに最適です。

当社のSi IGBTとダイオードは、信頼性、堅牢性、最適化された熱性能を重視し、自動車の電動化の未来を推進します。

当社のSi IGBTおよびダイオード ソリューションの範囲を調べて、自動車設計のパフォーマンスと効率をどのように向上できるかをご確認ください。

市場洞察: 自動車分野をはじめとする様々な産業におけるSiベアダイの重要性の高まり

Si IGBT市場は、特に自動車業界をはじめとするさまざまな業界におけるエネルギー効率の高いソリューションの需要の高まりに牽引されて、大幅な成長を遂げています。Siベアダイは、高電圧および高電流処理能力を備えているため、パワーエレクトロニクスの必須コンポーネントとしての地位を確立しており、モータードライブ、インバーター、電源などの幅広いアプリケーションに適しています。

自動車業界では、効率的な電力変換が最も求められる電気自動車やハイブリッド車において、Siベアダイの採用が増加しています。Si IGBTおよびダイオードの技術とパッケージングの進歩により、これらのデバイスは自動車のパワートレイン システムとバッテリー管理にコスト効率の高いソリューションを提供し続け、車両全体の電動化に貢献しています。

Siベアダイは、幅広いパワーエレクトロニクスアプリケーションにとって依然として重要かつコスト効率の高い選択肢であり、エネルギー効率と持続可能性に向けた継続的な取り組みの基礎として機能しています。

市場洞察: 自動車分野をはじめとする様々な産業におけるSiベアダイの重要性の高まり
市場洞察: 自動車分野をはじめとする様々な産業におけるSiベアダイの重要性の高まり
市場洞察: 自動車分野をはじめとする様々な産業におけるSiベアダイの重要性の高まり

トラクション インバーターにおけるSiベアダイの利点

シリコン ベア ダイは、高電流容量、高速スイッチング速度、およびコスト効率の良さから、DC電源の AC モーター ドライブに長年採用されてきました。これらのデバイスは、高定格電圧と高電流での伝導損失の低さなど、特定の利点を備えているため、高出力モーター駆動アプリケーションに適していると考えられます。

Siベアダイは、バイポーラ伝導動作により、高負荷時の伝導損失が低く、これはチップサイズを定義する多くのアプリケーションで決定的な設計ポイントであるため、IGBTとダイオードが魅力的な選択肢となります。

したがって、Si IGBTベアダイは、特に高負荷電流でのシステムコストのメリットが不可欠なアプリケーションでは興味深い選択肢となります。これには、2次 (「ブースト アクスル」) インバーターや小型バッテリーを搭載した車が含まれます。

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当社のSiベアダイの利点

  • 最大出力電流:特に高負荷条件下（例: プライマリ アクスルまたはブースト アクスル アプリケーション) Si IGBT は損失が低いため、高出力電流を処理できます。
  • コスト効率: Si IGBTは、一般的に、SiC MOSFETなどの他のパワー半導体デバイスに比べてコスト効率に優れているため、コストが主な考慮事項となるアプリケーションに適しています。
  • 確立された製造インフラストラクチャ: Si IGBTの製造プロセスは確立されており、一貫した生産とサプライ チェーンの信頼性を実現します。
  • 堅牢性: Si IGBTは、耐久性が不可欠な産業用システムや自動車用システムなど、さまざまなアプリケーションで堅牢なパフォーマンスを実証しています。
  • 簡単な駆動と制御: Si IGBTはよく知られており、制御が容易なため、特定のアプリケーションに適しています。
  • Si IGBTは、振動のないスムーズなスイッチングを実現するように設計されており、設計者に電磁両立性 (EMC) の面でのメリットをもたらします。

市場の要件

Si IGBTベアダイに対する市場の要求に関しては、自動車、再生可能エネルギー、産業オートメーション、民生用電子機器など、さまざまな業界で、効率的で信頼性の高い電力スイッチング ソリューションのニーズが高まっています。エネルギー効率の高いデバイスの需要の増加と電気自動車や再生可能エネルギー源への移行に伴い、低損失と高信頼性を維持しながら高電圧と高電流を処理できる高性能Si IGBTに対する市場ニーズが高まっています。

ドレスデン クリーンルーム300 mm
ドレスデン クリーンルーム300 mm
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価値提案

このような市場の要求に応えるため、当社のEDT3 750Vの価値提案は、低い導通損失とスイッチング損失で高電圧および高電流処理能力を提供できることにあります。これは、モーター ドライブ、インバーター、電源など、効率的な電力変換と制御を必要とするアプリケーションに不可欠です。さらに、当社のEDT3 750Vは、代替技術に比べてコスト効率に優れたソリューションを提供するため、製品のパフォーマンスとコスト効率の最適化を目指すメーカーにとって魅力的な選択肢となります。

さらに詳しく知りたいですか?入手可能な製品をご覧ください ここ！

市場の要件

産業用システムや自動車用システムにおけるエネルギー効率、信頼性、コンパクトさに対する需要の高まりにより、高性能パワー半導体デバイスの必要性が高まっています。当社のEDT3 1200V Si IGBTおよびダイオードは、これらの市場要件を満たすように設計されており、高電圧機能、低損失、堅牢性の最もユニークな組み合わせを提供します。

自動車分野では、当社の1200V Siベアダイは、高電圧能力と低損失により効率的で信頼性の高い動作が保証される電気自動車充電システム、トラクション インバーター、およびその他の高出力アプリケーションに特に適しています。

200 mmウェーハ
200 mmウェーハ
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価値提案

当社のEDT3 1200V Siベアダイの価値命題は、システムの複雑さとコストを削減しながら、高いレベルのパフォーマンス、信頼性、柔軟性を提供できる点にあります。最適化された設計と高度な製造プロセスにより、このデバイスは、低い伝導損失とスイッチング損失、高い短絡耐性、優れた熱性能のユニークなバランスを実現します。これにより、システム設計者は、全体的な部品数と開発時間を削減しながら、より効率的でコンパクトかつ信頼性の高いシステムを開発できるようになります。

当社の新製品に関する詳しい情報は、近日中にこちらでご覧いただけます。乞うご期待！

市場の要件

高い信頼性とフォールト トレランスを備えたパワー半導体デバイスの需要の高まりにより、高度なIGBTテクノロジの必要性が高まっています。当社の1200V RC-IGBTは、これらの市場要件を満たすように設計されており、高電圧機能、低損失、優れた堅牢性と信頼性のユニークな組み合わせを提供します。

自動車分野では、当社の1200V RC-IGBTは、高電圧機能と優れた耐久性により信頼性の高い動作が保証されるため、電気自動車の充電システム、トラクション インバーター、その他の高出力アプリケーションに特に適しております。

ドレスデン クリーンルーム300 mm
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価値提案

当社の1200V RC-IGBTの価値命題は、システムの複雑さとコストを削減しながら、高いレベルの信頼性、堅牢性、フォールト トレランスを提供できる点にあります。このデバイスは、高度な逆導通IGBT (RC-IGBT) 設計を採用しており、低い導通損失とスイッチング損失、高い短絡耐性、優れた熱性能のユニークな組み合わせを実現します。これにより、システム設計者は、全体的な部品数と開発時間を削減しながら、より信頼性が高く、コンパクトで効率的なシステムを開発できるようになります。

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高性能IGBTベアダイで自動車の電動化を加速

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) は、パワーエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たす半導体デバイスの一種です。IGBTは、MOSFET とバイポーラ トランジスタの両方の利点を組み合わせることで、さまざまなアプリケーションに優れた高性能スイッチング要素を提供します。

インフィニオンのSi IGBTおよびダイオード テクノロジーは、自動車アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。当社のSi IGBTとダイオードは、高電圧、高電流容量、そして効率的なスイッチング性能を備えており、電動パワートレインなどのさまざまな自動車システムに最適です。

当社のSi IGBTとダイオードは、信頼性、堅牢性、最適化された熱性能を重視し、自動車の電動化の未来を推進します。

当社のSi IGBTおよびダイオード ソリューションの範囲を調べて、自動車設計のパフォーマンスと効率をどのように向上できるかをご確認ください。

市場洞察: 自動車分野をはじめとする様々な産業におけるSiベアダイの重要性の高まり

Si IGBT市場は、特に自動車業界をはじめとするさまざまな業界におけるエネルギー効率の高いソリューションの需要の高まりに牽引されて、大幅な成長を遂げています。Siベアダイは、高電圧および高電流処理能力を備えているため、パワーエレクトロニクスの必須コンポーネントとしての地位を確立しており、モータードライブ、インバーター、電源などの幅広いアプリケーションに適しています。

自動車業界では、効率的な電力変換が最も求められる電気自動車やハイブリッド車において、Siベアダイの採用が増加しています。Si IGBTおよびダイオードの技術とパッケージングの進歩により、これらのデバイスは自動車のパワートレイン システムとバッテリー管理にコスト効率の高いソリューションを提供し続け、車両全体の電動化に貢献しています。

Siベアダイは、幅広いパワーエレクトロニクスアプリケーションにとって依然として重要かつコスト効率の高い選択肢であり、エネルギー効率と持続可能性に向けた継続的な取り組みの基礎として機能しています。

市場洞察: 自動車分野をはじめとする様々な産業におけるSiベアダイの重要性の高まり
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トラクション インバーターにおけるSiベアダイの利点

シリコン ベア ダイは、高電流容量、高速スイッチング速度、およびコスト効率の良さから、DC電源の AC モーター ドライブに長年採用されてきました。これらのデバイスは、高定格電圧と高電流での伝導損失の低さなど、特定の利点を備えているため、高出力モーター駆動アプリケーションに適していると考えられます。

Siベアダイは、バイポーラ伝導動作により、高負荷時の伝導損失が低く、これはチップサイズを定義する多くのアプリケーションで決定的な設計ポイントであるため、IGBTとダイオードが魅力的な選択肢となります。

したがって、Si IGBTベアダイは、特に高負荷電流でのシステムコストのメリットが不可欠なアプリケーションでは興味深い選択肢となります。これには、2次 (「ブースト アクスル」) インバーターや小型バッテリーを搭載した車が含まれます。

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当社のSiベアダイの利点

  • 最大出力電流:特に高負荷条件下（例: プライマリ アクスルまたはブースト アクスル アプリケーション) Si IGBT は損失が低いため、高出力電流を処理できます。
  • コスト効率: Si IGBTは、一般的に、SiC MOSFETなどの他のパワー半導体デバイスに比べてコスト効率に優れているため、コストが主な考慮事項となるアプリケーションに適しています。
  • 確立された製造インフラストラクチャ: Si IGBTの製造プロセスは確立されており、一貫した生産とサプライ チェーンの信頼性を実現します。
  • 堅牢性: Si IGBTは、耐久性が不可欠な産業用システムや自動車用システムなど、さまざまなアプリケーションで堅牢なパフォーマンスを実証しています。
  • 簡単な駆動と制御: Si IGBTはよく知られており、制御が容易なため、特定のアプリケーションに適しています。
  • Si IGBTは、振動のないスムーズなスイッチングを実現するように設計されており、設計者に電磁両立性 (EMC) の面でのメリットをもたらします。

市場の要件

Si IGBTベアダイに対する市場の要求に関しては、自動車、再生可能エネルギー、産業オートメーション、民生用電子機器など、さまざまな業界で、効率的で信頼性の高い電力スイッチング ソリューションのニーズが高まっています。エネルギー効率の高いデバイスの需要の増加と電気自動車や再生可能エネルギー源への移行に伴い、低損失と高信頼性を維持しながら高電圧と高電流を処理できる高性能Si IGBTに対する市場ニーズが高まっています。

ドレスデン クリーンルーム300 mm
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価値提案

このような市場の要求に応えるため、当社のEDT3 750Vの価値提案は、低い導通損失とスイッチング損失で高電圧および高電流処理能力を提供できることにあります。これは、モーター ドライブ、インバーター、電源など、効率的な電力変換と制御を必要とするアプリケーションに不可欠です。さらに、当社のEDT3 750Vは、代替技術に比べてコスト効率に優れたソリューションを提供するため、製品のパフォーマンスとコスト効率の最適化を目指すメーカーにとって魅力的な選択肢となります。

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市場の要件

産業用システムや自動車用システムにおけるエネルギー効率、信頼性、コンパクトさに対する需要の高まりにより、高性能パワー半導体デバイスの必要性が高まっています。当社のEDT3 1200V Si IGBTおよびダイオードは、これらの市場要件を満たすように設計されており、高電圧機能、低損失、堅牢性の最もユニークな組み合わせを提供します。

自動車分野では、当社の1200V Siベアダイは、高電圧能力と低損失により効率的で信頼性の高い動作が保証される電気自動車充電システム、トラクション インバーター、およびその他の高出力アプリケーションに特に適しています。

200 mmウェーハ
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価値提案

当社のEDT3 1200V Siベアダイの価値命題は、システムの複雑さとコストを削減しながら、高いレベルのパフォーマンス、信頼性、柔軟性を提供できる点にあります。最適化された設計と高度な製造プロセスにより、このデバイスは、低い伝導損失とスイッチング損失、高い短絡耐性、優れた熱性能のユニークなバランスを実現します。これにより、システム設計者は、全体的な部品数と開発時間を削減しながら、より効率的でコンパクトかつ信頼性の高いシステムを開発できるようになります。

当社の新製品に関する詳しい情報は、近日中にこちらでご覧いただけます。乞うご期待！

市場の要件

高い信頼性とフォールト トレランスを備えたパワー半導体デバイスの需要の高まりにより、高度なIGBTテクノロジの必要性が高まっています。当社の1200V RC-IGBTは、これらの市場要件を満たすように設計されており、高電圧機能、低損失、優れた堅牢性と信頼性のユニークな組み合わせを提供します。

自動車分野では、当社の1200V RC-IGBTは、高電圧機能と優れた耐久性により信頼性の高い動作が保証されるため、電気自動車の充電システム、トラクション インバーター、その他の高出力アプリケーションに特に適しております。

ドレスデン クリーンルーム300 mm
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価値提案

当社の1200V RC-IGBTの価値命題は、システムの複雑さとコストを削減しながら、高いレベルの信頼性、堅牢性、フォールト トレランスを提供できる点にあります。このデバイスは、高度な逆導通IGBT (RC-IGBT) 設計を採用しており、低い導通損失とスイッチング損失、高い短絡耐性、優れた熱性能のユニークな組み合わせを実現します。これにより、システム設計者は、全体的な部品数と開発時間を削減しながら、より信頼性が高く、コンパクトで効率的なシステムを開発できるようになります。

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