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600 V CoolMOS™ S7

600V CoolMOS™ S7高電圧スーパージャンクションMOSFETファミリーは、低周波スイッチングアプリケーションに最高性能を最適な価格で提供します

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概要

S7シリーズは、アクティブブリッジ整流、インバーター段、突入リレー、PLC、パワーソリッドステートリレー、サーキットブレーカーなど、MOSFETが低周波数でスイッチングされるアプリケーションに最適です。 これらの設計では、S7 MOSFETは、他の CoolMOS™ ファミリー、IGBT、OptiMOS™低電圧および中電圧MOSFET、ガルバニック絶縁ゲートドライバ、および光起電力アイソレータ (PVI) によって補完されます。

主な機能

  • SMDパッケージの
    • 最小のRDS(on)
    • 伝導
    • 改善された熱抵抗に最適化
    • 高パルス電流容量
    • 最高のボディダイオードサージ耐性

製品

概要

スイッチング損失が関係ないアプリケーションに焦点を当てることにより、 CoolMOS™ S7 SJ MOSFETはスイッチング性能に関連する機能を取り除いたため、非常に低いRDS(on)値に達しながらコストポジショニングを最適化します。

CoolMOS™ S7 MOSFETは、インフィニオンのCoolMOS™ 7技術の技術的最適化に基づいて構築されており、低周波スイッチングアプリケーションでは必要とされない、スイッチング性能に関連する冗長機能をデバイスから削除します。

したがって、最良の価格で低い導通損失を必要とするアプリケーションに最適なMOSFETです。

さらに、最高のパフォーマンスを提供し、インフィニオンの高品質基準を維持します。

これらの機能の統合は、多くの電子アプリケーションの耐久性、安全性、および効率にプラスの影響を与えます。

アプリケーションにとっては、高精度の組み込みセンサーとその優れたRDS(on)により、性能と信頼性が向上しています。

600V S7は、高度な表面実装パッケージ(Q-DPAK BSC(HDSOP)、Q-DPAK TSC(HDSOP)、TO-LEADLESS(HSOF-8))、およびスルーホール(TO-220)で構成されています。RDS(on)の範囲は10mΩから65mΩです。

S7 - 主な機能:

  • クラス最高のRDS(on) をSMDパッケージで提供
  • ベストスーパージャンクションMOSFET RDS(on)
  • 導通性能に最適化された
  • 耐熱性の向上
  • 高パルス電流対応
  • ACライン整流時のボディダイオードの堅牢性

S7 - 主な利点:

  • 導通損失を最小化
  • エネルギー効率の向上
  • よりコンパクトに、より簡単に設計可能
  • ソリッドステート設計におけるヒートシンクの排除または低減
  • TCOコストやBOMコストの低減

S7T - 主な機能:

  • 強化された保護
  • 高精度の温度センシングと高速監視
  • SMD上面冷却および下面冷却パッケージで利用可能

S7T - 主な利点:

  • 外部センシング素子の削減
  • ディスクリートセンサーよりも40%精度が高い
  • ディスクリートセンサーソリューションよりも4倍高速
  • PCB スペース使用率の削減
  • 機能安全の実現

インフィニオンのCoolMOS™ S7 SJ MOSFETは、電気機械式リレーやサーキットブレーカーを置き換えたり、既存のソリッドステート設計を改善したりする効果的な方法として、スーパージャンクション技術を考慮することが経済的に便利です。 電気機械デバイスと比較して、S7テクノロジーは次のことを行います。

  • より高速に切り替え
  • コンタクトのアーク放電、バウンス、またはオン抵抗の劣化が耐用期間にわたって発生しない
  • システムの信頼性を高め、システムの寿命を大幅に延ばします。
  • 衝撃や振動に強く、位置を区別しません
  • サイレントオペレーションを実現

インフィニオンのS7 SJ MOSFETを使用することで、位置や振動の影響を受けないソリューションが容易になり、最終システムの使いやすさと信頼性が向上します。

SCR、トライアック、高電圧プレーナMOSFETなどの代替シリコンデバイスと比較して、CoolMOS™ S7デバイスは以下の特長を備えています。

システムの効率と密度の向上 — より小型のヒートシンクの使用を可能にします(体積を40%から80%削減)。システムのフォームファクタや環境条件を変更することなく、より高いシステム電流定格を可能にします。トライアックよりも速く切り替えます。そして簡単な並列化。

スイッチング損失が関係ないアプリケーションに焦点を当てることにより、 CoolMOS™ S7 SJ MOSFETはスイッチング性能に関連する機能を取り除いたため、非常に低いRDS(on)値に達しながらコストポジショニングを最適化します。

CoolMOS™ S7 MOSFETは、インフィニオンのCoolMOS™ 7技術の技術的最適化に基づいて構築されており、低周波スイッチングアプリケーションでは必要とされない、スイッチング性能に関連する冗長機能をデバイスから削除します。

したがって、最良の価格で低い導通損失を必要とするアプリケーションに最適なMOSFETです。

さらに、最高のパフォーマンスを提供し、インフィニオンの高品質基準を維持します。

これらの機能の統合は、多くの電子アプリケーションの耐久性、安全性、および効率にプラスの影響を与えます。

アプリケーションにとっては、高精度の組み込みセンサーとその優れたRDS(on)により、性能と信頼性が向上しています。

600V S7は、高度な表面実装パッケージ(Q-DPAK BSC(HDSOP)、Q-DPAK TSC(HDSOP)、TO-LEADLESS(HSOF-8))、およびスルーホール(TO-220)で構成されています。RDS(on)の範囲は10mΩから65mΩです。

S7 - 主な機能:

  • クラス最高のRDS(on) をSMDパッケージで提供
  • ベストスーパージャンクションMOSFET RDS(on)
  • 導通性能に最適化された
  • 耐熱性の向上
  • 高パルス電流対応
  • ACライン整流時のボディダイオードの堅牢性

S7 - 主な利点:

  • 導通損失を最小化
  • エネルギー効率の向上
  • よりコンパクトに、より簡単に設計可能
  • ソリッドステート設計におけるヒートシンクの排除または低減
  • TCOコストやBOMコストの低減

S7T - 主な機能:

  • 強化された保護
  • 高精度の温度センシングと高速監視
  • SMD上面冷却および下面冷却パッケージで利用可能

S7T - 主な利点:

  • 外部センシング素子の削減
  • ディスクリートセンサーよりも40%精度が高い
  • ディスクリートセンサーソリューションよりも4倍高速
  • PCB スペース使用率の削減
  • 機能安全の実現

インフィニオンのCoolMOS™ S7 SJ MOSFETは、電気機械式リレーやサーキットブレーカーを置き換えたり、既存のソリッドステート設計を改善したりする効果的な方法として、スーパージャンクション技術を考慮することが経済的に便利です。 電気機械デバイスと比較して、S7テクノロジーは次のことを行います。

  • より高速に切り替え
  • コンタクトのアーク放電、バウンス、またはオン抵抗の劣化が耐用期間にわたって発生しない
  • システムの信頼性を高め、システムの寿命を大幅に延ばします。
  • 衝撃や振動に強く、位置を区別しません
  • サイレントオペレーションを実現

インフィニオンのS7 SJ MOSFETを使用することで、位置や振動の影響を受けないソリューションが容易になり、最終システムの使いやすさと信頼性が向上します。

SCR、トライアック、高電圧プレーナMOSFETなどの代替シリコンデバイスと比較して、CoolMOS™ S7デバイスは以下の特長を備えています。

システムの効率と密度の向上 — より小型のヒートシンクの使用を可能にします(体積を40%から80%削減)。システムのフォームファクタや環境条件を変更することなく、より高いシステム電流定格を可能にします。トライアックよりも速く切り替えます。そして簡単な並列化。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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