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概要

EiceDRIVER™ 1EDBx275F は、Si、SiC、およびGaN パワースイッチを駆動するように設計されたシングルチャネル絶縁ゲートドライバICファミリーです。 これらはサーバーやテレコムのPFC やLLC、EV 充電ステーションのウィーン整流器、マルチレベルPV ストリングインバーターなど、さまざまなアプリケーションで使用できます。 1EDBx275F は、産業用アプリケーション向けにJEDEC 認定を受けています。

主な機能
  • 3 kVrms ガルバニック絶縁
  • 低インピーダンス
  • 分離されたソース/シンク出力
  • 伝搬遅延精度:+6/-4ns
  • 300 V/ns CMTI
  • 4 V、8 V、12 V、および 15 V UVLO オプション
  • 20nsの出力クランプ速度
アプリケーション
通信インフラ向けのAC-DCコンバーター
サーバー電源
太陽光発電

製品

概要

入力-出力絶縁を備えたシングルチャネルゲートドライバIC

1EDB ゲートドライバ ファミリーは8ピンDSO パッケージで供給されます。 アプリケーションの設計作業を容易にするために、業界標準のピン配置にはソースとシンクの出力ピンが分離されています。 シングルチャネル絶縁型ゲートドライバICは、高力率コントローラー (PFC) および高電圧DC-DC 段のPCB レイアウトの問題を解決します。 アプリケーションには、557 Vrms の動作電圧 (汚染クラスII) のマルチレベルトポロジーとユースケースも含まれます。

システムレベルの高効率を実現する高速スイッチングアプリケーション

+6 / -4ns の伝搬遅延精度を備えた EiceDRIVER™ 1EDB ゲートドライバファミリーは、システムレベルの高効率で高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。 機能セーブ システム動作をサポートするために、コモンモード過渡耐性 (CMTI) は300V/ns を超えています。 標準的な出力段のクランプ速度は20ns と短く、設計者は 4つの異なる出力段低電圧ロックアウト (UVLO) バリエーション (4V、8V、12V、15V) から選択できます。

高電圧絶縁と1EDB ファミリーによる安全性の向上

EiceDRIVER™ 1EDB ファミリーには、低MOSFET スイッチング損失、低デッドタイム損失、グランドループ分離など、高電圧絶縁と安全性の向上をサポートするいくつかの機能が装備されています。 さらに、ゲートドライバはスイッチングノイズに対する優れた耐性、安全動作領域 (SOA) を離れるリスクの低減、およびブートストラップされたハーフブリッジ起動時のシュートスルー保護を備えています。

入力-出力絶縁を備えたシングルチャネルゲートドライバIC

1EDB ゲートドライバ ファミリーは8ピンDSO パッケージで供給されます。 アプリケーションの設計作業を容易にするために、業界標準のピン配置にはソースとシンクの出力ピンが分離されています。 シングルチャネル絶縁型ゲートドライバICは、高力率コントローラー (PFC) および高電圧DC-DC 段のPCB レイアウトの問題を解決します。 アプリケーションには、557 Vrms の動作電圧 (汚染クラスII) のマルチレベルトポロジーとユースケースも含まれます。

システムレベルの高効率を実現する高速スイッチングアプリケーション

+6 / -4ns の伝搬遅延精度を備えた EiceDRIVER™ 1EDB ゲートドライバファミリーは、システムレベルの高効率で高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。 機能セーブ システム動作をサポートするために、コモンモード過渡耐性 (CMTI) は300V/ns を超えています。 標準的な出力段のクランプ速度は20ns と短く、設計者は 4つの異なる出力段低電圧ロックアウト (UVLO) バリエーション (4V、8V、12V、15V) から選択できます。

高電圧絶縁と1EDB ファミリーによる安全性の向上

EiceDRIVER™ 1EDB ファミリーには、低MOSFET スイッチング損失、低デッドタイム損失、グランドループ分離など、高電圧絶縁と安全性の向上をサポートするいくつかの機能が装備されています。 さらに、ゲートドライバはスイッチングノイズに対する優れた耐性、安全動作領域 (SOA) を離れるリスクの低減、およびブートストラップされたハーフブリッジ起動時のシュートスルー保護を備えています。

ドキュメント

ドキュメント

ニュースおよびハイライト

EiceDRIVER™ 1EDB ファミリー - シングルチャネル絶縁型ゲートドライバ

当社の専門家が、最新のEiceDRIVER™ゲートドライバーICの概要をご案内します。1EDBゲートドライバファミリは、8ピンDSOパッケージで提供され、システムレベルの効率が高い高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。

SiC MOSFETおよびGaN HEMT用のゲート駆動ソリューション(設定可能な絶縁型バイアス電源を含む)

このビデオでは、EiceDRIVER™ EVAL_2EDB_HB_GAN、KIT_1EDB_AUX_GAN 、 のデモボードに示されているように、専用の シングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICを使用して高電圧SiC MOSFETおよびGaN HEMTを駆動する最新のソリューションを紹介します。KIT_1EDB_AUX_SICこれらの小型デモキットには、1%の電圧レギュレーションと最大1.5Wの電力レベルで異なる正と負の電圧レベルを生成できる構成可能な絶縁バイアス電源があります。これらの使いやすいビルディングブロックを使用して、設計サイクルをスピードアップし、市場投入までの時間を短縮します。

高速スイッチング・アプリケーション向けのゲート・ドライバ・ソリューション

このウェビナーでは、共通の強みを持つゲートドライバICのポートフォリオをご紹介します。取り上げる例の1つは、ケルビンソースパワーMOSFETを搭載した昇圧PFC、DCモータドライブのハーフブリッジ、バッテリ駆動アプリケーション用の昇降圧ステージなどのアプリケーションで一般的に遭遇する課題を、真の差動入力(TDI)を備えた非絶縁型ゲートドライバICで解決する方法を扱います。