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概要

EiceDRIVER™ 2EDiは、ゲートドライバICのデュアルチャネル絶縁製品ファミリーであり、高性能 CoolMOS™、CoolSiC™、およびOptiMOS™ MOSFETハーフブリッジで堅牢な動作を実現するように設計されています。 これらの製品は、1次側および2次側制御のハードおよびソフトスイッチングトポロジーで使用されます。 これらは、電力変換効率を最適化し、公称動作および異常動作時に堅牢なスイッチモード電源動作を保証するために極めて重要です。

主な機能
  • 高速パワースイッチング
  • 5A/9Aのソースおよびシンク電流
  • 伝搬遅延(代表値) 38 ns
  • 実装面積およびシステムBOMの最適化
  • CMTI >150 V/ns の堅牢性
  • 低電圧ロックアウト機能
  • 出力-出力チャネル間絶縁
  • 入力-出力チャネル絶縁
アプリケーション
通信インフラ
データセンターおよびコンピューティングソリューション
電動工具
EV充電
低電圧ドライブ
スイッチモード電源 (SMPS)
MCUソリューション

製品

概要

高速で信頼性の高いデュアルチャネル絶縁型ゲートドライバ: EiceDRIVER™ 2EDi

2EDiは、Si MOSFET、SiC MOSFET、およびGaNパワースイッチを駆動するように設計されたデュアルチャネル絶縁型ゲートドライバICファミリーです。 絶縁は、堅牢な動作と業界ベンチマークのコモンモード除去(CMTI)を保証するインフィニオンのコアレストランス (CT) 技術によって実現されます。 伝搬遅延精度が高く、チャネル間のミスマッチが小さいため、この製品は高速スイッチング電源システムでの使用に最適です。 さらに、高いCMTI、高い逆電流能力、およびUVLO以下の出力の高速クランプにより、アプリケーションでの信頼性の高い動作が保証されます。

2EDiファミリーの主な利点

2EDiファミリーには、効率の向上や損失の低減など、多くの利点があります。 強力な駆動により、スイッチング損失の低減と正確なタイミング、デッドタイムの最適化、および並列MOSFETの同期駆動が可能になります。 さらに、駆動力の大部分が外部から消費されるため、ドライバの熱負荷が軽減されます。 これにより、ゲートドライバ出力に高価な2つの保護ダイオードが不要になり、より小さなフォームファクターで熱挙動が改善されます。 2EDiファミリーの保護と安全な動作は、高速スイッチング過渡に対する信頼性の高いドライバ動作などの機能によってさらに強化されています。 さらに、レベルシフトとグランドバウンス耐性が規制上の安全性をサポートします。

ソフトスイッチングおよびハードスイッチングトポロジーによる堅牢な動作

1チャネルおよび2チャネルのガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ゲートドライバICは、最適なCoolSiC™ MOSFET 650V動作のための最良の選択肢です。 CCMトーテムポールPFCで使用するには、機能絶縁がスイッチングノイズに対して必要な堅牢性を提供し、二次側制御LLCステージでは、強化された絶縁が不可欠です。 UVLO_offスレッショルドは、アプリケーションに必要な電流レベルでの安全なCoolSiC™動作を保証します。 業界をリードする低出力段インピーダンスにより、CoolSiC™のスイッチング損失が最小限に抑えられます。 優れた+ 6/- 4nsの伝搬遅延精度により、デッドタイム損失を最小限に抑えます。

高速で信頼性の高いデュアルチャネル絶縁型ゲートドライバ: EiceDRIVER™ 2EDi

2EDiは、Si MOSFET、SiC MOSFET、およびGaNパワースイッチを駆動するように設計されたデュアルチャネル絶縁型ゲートドライバICファミリーです。 絶縁は、堅牢な動作と業界ベンチマークのコモンモード除去(CMTI)を保証するインフィニオンのコアレストランス (CT) 技術によって実現されます。 伝搬遅延精度が高く、チャネル間のミスマッチが小さいため、この製品は高速スイッチング電源システムでの使用に最適です。 さらに、高いCMTI、高い逆電流能力、およびUVLO以下の出力の高速クランプにより、アプリケーションでの信頼性の高い動作が保証されます。

2EDiファミリーの主な利点

2EDiファミリーには、効率の向上や損失の低減など、多くの利点があります。 強力な駆動により、スイッチング損失の低減と正確なタイミング、デッドタイムの最適化、および並列MOSFETの同期駆動が可能になります。 さらに、駆動力の大部分が外部から消費されるため、ドライバの熱負荷が軽減されます。 これにより、ゲートドライバ出力に高価な2つの保護ダイオードが不要になり、より小さなフォームファクターで熱挙動が改善されます。 2EDiファミリーの保護と安全な動作は、高速スイッチング過渡に対する信頼性の高いドライバ動作などの機能によってさらに強化されています。 さらに、レベルシフトとグランドバウンス耐性が規制上の安全性をサポートします。

ソフトスイッチングおよびハードスイッチングトポロジーによる堅牢な動作

1チャネルおよび2チャネルのガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ゲートドライバICは、最適なCoolSiC™ MOSFET 650V動作のための最良の選択肢です。 CCMトーテムポールPFCで使用するには、機能絶縁がスイッチングノイズに対して必要な堅牢性を提供し、二次側制御LLCステージでは、強化された絶縁が不可欠です。 UVLO_offスレッショルドは、アプリケーションに必要な電流レベルでの安全なCoolSiC™動作を保証します。 業界をリードする低出力段インピーダンスにより、CoolSiC™のスイッチング損失が最小限に抑えられます。 優れた+ 6/- 4nsの伝搬遅延精度により、デッドタイム損失を最小限に抑えます。

ドキュメント

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ニュースおよびハイライト

SiC MOSFETおよびGaN HEMT用のゲート駆動ソリューション(設定可能な絶縁型バイアス電源を含む)

このビデオでは、EiceDRIVER™ EVAL_2EDB_HB_GAN、KIT_1EDB_AUX_GAN 、 のデモボードに示されているように、専用の シングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICを使用して高電圧SiC MOSFETおよびGaN HEMTを駆動する最新のソリューションを紹介します。KIT_1EDB_AUX_SICこれらの小型デモキットには、1%の電圧レギュレーションと最大1.5Wの電力レベルで異なる正と負の電圧レベルを生成できる構成可能な絶縁バイアス電源があります。これらの使いやすいビルディングブロックを使用して、設計サイクルをスピードアップし、市場投入までの時間を短縮します。

インフィニオン独自のデュアルチャネル絶縁型ゲートドライバIC

デュアルチャネル絶縁型ドライバICの新しいファミリと、それがシステムの最適化にどのように役立つかをご覧ください。これらのドライバは、超高精度のタイミング動作と超低抵抗出力段の2つの側面で業界でもユニークです。詳細については、ビデオをご覧ください。

EiceDRIVER™ MOSFET用ゲートドライバーキット - 概要:1EDN、2EDN、1EDN TDI、2EDI

インフィニオンは、MOSFET用のさまざまなEiceDRIVER™ゲートドライバを幅広く提供しています。インフィニオンのシングルチャネルMOSFET ゲートドライバIC は、制御IC、強力なMOSFET、およびGaN スイッチングデバイスを接続するための不可欠なリンクとして機能します。 また、2EDN 2チャネルMOSFETドライバICも用意されています。真の差動入力を備えたシングルチャネル非絶縁型ゲートドライバ:1EDN TDIEiceDRIVER™ 2EDiは、ゲートドライバICのデュアルチャネル絶縁製品ファミリーであり、高性能 CoolMOS™、CoolSiC™、およびOptiMOS™ MOSFETハーフブリッジで堅牢な動作を実現するように設計されています。

高速スイッチング・アプリケーション向けのゲート・ドライバ・ソリューション

このウェビナーでは、共通の強みを持つゲートドライバICのポートフォリオをご紹介します。取り上げる例の1つは、ケルビンソースパワーMOSFETを搭載した昇圧PFC、DCモータドライブのハーフブリッジ、バッテリ駆動アプリケーション用の昇降圧ステージなどのアプリケーションで一般的に遭遇する課題を、真の差動入力(TDI)を備えた非絶縁型ゲートドライバICで解決する方法を扱います。