インフィニオンの300mmパワーGaNウエハー技術が「半導体・オブ・ザ・イヤー」のデバイス部門グランプリを受賞

ビジネス＆財務プレス

05/06/2025

2025年6月5日、東京 (日本)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) による世界初の300mmパワーGaN技術が「第31回 半導体・オブ・ザ・イヤー2025」の半導体デバイス部門グランプリを受賞しました。半導体・オブ・ザ・イヤーは、株式会社産業タイムズ社発行の電子デバイス産業新聞が主催しており、最新のエレクトロニクス製品の開発において最も貢献した製品を毎年選定しています。

 

6月4日（水）には、東京ビッグサイト内で授賞式が開催されました。そのなかで、電子デバイス産業新聞 編集長の稲葉雅巳氏は「短期的には見通しの立てにくい状況にある半導体市場において、一極集中で成長しているのがAI、データセンター向けの用途です。今年の受賞製品はそれを色濃く反映するものとなりました」と述べました。インフィニオンの300mm GaNウエハーの選考理由については「GaNはこれから市場拡大が見込まれています。民生機器、車載の用途に加え、AIデータセンターでもHVDC (高電圧直流給電) という電源方式がグローバルで注目を集めており、GaNはそのキーデバイスになると期待されていることからも高く評価しました」とされました。

 

登壇したインフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社のコンシューマー、コンピューティング＆コミュニケーション (C3) 事業本部 本部長 バイス プレジデントの澤田 和重は「300mm化によって、200mmに比べてウエハー1枚あたり2.3倍のチップが製造できるようになり、チップの価格低減と安定的な供給の実現につながります。また、インフィニオンのGaNデバイスはJEDECの規格を上回る非常に厳しい品質基準を満たしており、高い信頼性を誇っています。この機会にぜひGaNの採用を積極的に検討いただければと思います」と述べました。

 

インフィニオンは、2024年9月に世界で初めて300mm GaNウエハーの量産環境での開発を実現したことを発表（リンク）しました。GaNベースのパワー半導体は、AIシステム用電源、太陽光インバーター、充電器やアダプター、モーター制御システムなど、産業用、車載用、コンシューマー、コンピューティング＆コミュニケーション用のアプリケーションで急速に採用が進んでいます。

 

Press Photos

Kazushige Sawada and Tatsuya Urakawa

Kazushige Sawada and Tatsuya Urakawa

Sawada and Urakawa at the ceremony

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Kazushige Sawada

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Sawada giving a presentation at the ceremony

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