Active and preferred
RoHS準拠

SPB80P06P G

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V, D2PAK
データシート
パッケージ

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SPB80P06P G
SPB80P06P G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    4026 pF
  • Coss
    1252 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -80 A
  • IDpuls (最大)
    -320 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    23 mΩ
  • Rth
    0.4 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 予算価格€/ 1k
    1.64
  • 動作温度 (最大)
    175 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
SPB80P06PGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101

    • ドキュメント

    ドキュメント

    デザイン リソース

    パートナー ソリューション

    開発者コミュニティ

    { "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }