S80KS5123GABHB023

データシート

パッケージ

S80KS5123GABHB023

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

See roadmap
Density

512 MBit
インターフェース

xSPI (Octal)
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

- / 200
インターフェース帯域幅

400 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

KS-3
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
初期アクセス時間

35 ns
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 105 °C
動作電圧 (範囲)

1.7 V ～ 2 V
動作電圧

1.8 V
技術

HYPERRAM
認定

Automotive

	推奨
OPN	S80KS5123GABHB023
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	BGA-24 (002-15550)
包装サイズ	2500
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	BGA-24 (002-15550)
包装サイズ	2500
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

S80KS5123GABHB023は512 MbのHYPERRAM自己リフレッシュDRAMで、1.8 VのOctal xSPI DDRインターフェースにより最大200 MHz、最大400 MBps（3,200 Mbps）、最大アクセス時間35 nsに対応します。リニア/ラップトバースト（16～128バイト）をサポートし、24ボールFBGA（1.00 mmピッチ）を採用。電源は1.7 V～2.0 Vで、スタンバイ、ハイブリッドスリープ、ディープパワーダウンを備えます。

特長

オクタルxSPI+CS#
8ビットDQ[7:0]バス
DDRで両エッジ転送
最大クロック200 MHz
最大400 MBpsスループット
最大tACC 35 ns
RWDSでストローブ/マスク
バーストは直線/ラップ
ラップ16/32/64/128バイト
ハイブリッドスリープ保持
ディープパワーダウンCR0[15]
VCC 1.7 V〜2.0 V

利点

xSPIホストに容易接続
高速SoCの帯域要求に対応
DDRでクロック当たり転送増
200 MHzで高速アクセス
tACC 35 nsで読出し遅延低減
RWDSでタイミング設計簡素化
バーストでキャッシュ読出し最適
ラップでバス無駄を削減
スリープで省電力+データ保持
DPDでリーク電流を最小化
クロック停止時の消費低減
1.8 V電源で部品追加不要

用途

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

S80KS5123GABHB023

Content could not be loaded

製品仕様情報

特長

利点

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

S80KS5123GABHB023

Content could not be loaded

製品仕様情報