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RoHS準拠
鉛フリー

S70FL01GSAGBHVC10

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S70FL01GSAGBHVC10
S70FL01GSAGBHVC10
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S70FL01GSAGBHVC10
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
包装サイズ 3380
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
包装サイズ 3380
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S70FL01GSAGBHVC10は、65 nm MirrorBit技術を採用したデュアルダイスタック構造の1 Gbit（128 Mbyte）SPIマルチI/Oフラッシュメモリです。2.7 V～3.6 V動作、最大133 MHz（SDR）・80 MHz（DDR）SPIクロック、均一な256 kbyteセクタを備えます。10万回のプログラム消去、20年データ保持、AEC-Q100車載認証により、自動車や産業用途に最適です。

特長

  • デュアルダイスタック構造
  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • 通常・高速・デュアル・クワッド・DDR読取
  • 32ビット拡張アドレス
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 最小10万回書換え耐久
  • 最小20年データ保持
  • 2048バイトOTP領域
  • ブロック・高度セクタ保護
  • コア電圧2.7-3.6 V
  • I/O電圧1.65-3.6 V
  • SCK最大133 MHz（シングル）、104 MHz（クワッド）

利点

  • 小型で大容量ストレージ実現
  • 柔軟なI/Fで統合容易
  • 高速データアクセス対応
  • 大きなアドレス空間
  • 効率的なページ書込で速度向上
  • 頻繁な書換も高信頼性
  • 長期データ保持で安心
  • OTP領域でコード保護
  • 強力な誤書込防止
  • 3 Vシステムに対応
  • 多様なI/O電圧に適合
  • 高速動作で高スループット

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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