S29GL256P10FAI010

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S29GL256P10FAI010
S29GL256P10FAI010
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    GL-P
  • ページ アクセス時間
    25 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 初期アクセス時間
    100 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
S29GL256P10FAI010は256 Mbit、3.0 Vページモードフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit®技術、64 Kword（128 Kbyte）の均一セクター、VersatileIO™による1.65 V～VCCの柔軟なI/O電圧動作を実現します。32ワード書き込みバッファ、高速プログラミング、持続的・パスワード方式の高度なセクター保護機能を備え、-40°C～85°Cで動作。最大ランダムアクセス100 ns、ページアクセス25 nsで、高密度・安全な組み込み用途に最適です。

特長

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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