これはサポート終了製品であることに注意してください。 新しい代替製品バージョンを見る これはサポート終了製品であることに注意してください。 新しい代替製品バージョンを見る
生産終了
生産終了
RoHS準拠

S29GL128P10TFI020

生産終了
データシート
パッケージ
ソフトウェア

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL128P10TFI020
S29GL128P10TFI020
データシート

製品仕様情報

  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-P
  • ページ アクセス時間
    25 ns
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 初期アクセス時間
    100 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29GL128P10TFI020
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-56
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
包装サイズ 455
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-56
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
包装サイズ 455
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL128P10TFI020は128 Mbit、3 VページモードのFlashメモリで、90 nm MirrorBit®技術を採用し、128 Kbyteの均一セクターとVersatileIO™制御による1.65 VからVCCまでの柔軟なI/O電圧を提供します。32ワード書き込みバッファによる高速プログラミング、高度なセクター保護を備えています。セクターごとの耐久性は10万回の消去、データ保持は20年。動作範囲は-40°C～85°C、VCCは2.7 V～3.6 V。信頼性の高いストレージが求められる組み込みシステムに最適です。

機能

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }