これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
代替品を表示
S29AL008J70BFM023
生産終了
生産終了
RoHS対応

S29AL008J70BFM023

生産終了

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

製品仕様情報

  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    AL-J
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    70 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S29AL008J70BFM023
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S29AL008J70BFM023は8 Mbit、3 Vブートセクタフラッシュメモリで、AEC-Q100 Grade 1(-40°C~+125°C)動作に対応します。最大70 nsアクセス速度、2.7 V~3.6 V単一電源、0.2 µAスタンバイ・スリープモードを備えます。柔軟なセクター構造による安全なデータ保存、ハードウェアセクター保護、消去サスペンド/レジューム、JEDECコマンドセット互換。48ボールBGAパッケージで過酷環境下のコード・ファームウェア保存に最適です。

特長

  • 単一2.7–3.6 V動作
  • 8 Mbit容量、x8/x16構成
  • 55 ns高速アクセス
  • 110 nmプロセス技術
  • セキュアID領域搭載
  • 柔軟なセクタ構成
  • セクタグループ保護/解除
  • アンロックバイパスで高速書込
  • 超低消費:0.2 µA待機/スリープ
  • 100万回/セクタ書換
  • 20年データ保持
  • JEDECコマンド互換

利点

  • 電源設計が簡単
  • 高速システム動作が可能
  • デバイス認証が強化
  • 柔軟なデータ管理
  • データ消失を防止
  • 書込時間を短縮
  • 待機電力を大幅削減
  • 頻繁な更新も安心
  • 長期データ保持
  • システム統合が容易
  • 標準プログラマ対応
  • システムエラー低減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }