Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S28HS512TGABHB010

データシート
パッケージ

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S28HS512TGABHB010
S28HS512TGABHB010
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Octal
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    200 / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S28HS512TGABHB010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 1690
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 1690
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S28HS512TGABHB010は512 Mb SEMPER™ NORフラッシュメモリで、車載および産業システム向けに設計されています。動作電圧は1.7 V～2.0 V、オクタルインターフェース対応、最大200 MHz SDR/DDRで読み出し速度は最大400 MBps。ISO 26262 ASIL B準拠、ECCによる訂正、Endurance Flexアーキテクチャ、先進セクタ保護、AEC-Q100 Grade 2認定（-40°C～+105°C）を備えます。メインアレイ128万回の書き換え、25年のデータ保持。

機能

  • 45 nm MIRRORBIT™で2ビット/セル
  • 均一/ハイブリッドセクタ構造
  • 256/512バイト書込バッファ
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • オクタルIF、JEDEC JESD251準拠
  • SDR最大200MBps、DDR最大400MBps
  • DSで高速読出し簡易化
  • 機能安全ISO26262 ASIL B/D
  • Endurance Flex耐久均一化
  • IF/データ整合性CRC
  • 内蔵ECC：1ビット訂正2ビット検出
  • 伝統/高度セクタ保護

利点

  • 2ビット/セル高密度で省スペース
  • 柔軟なセクタ構成で多用途
  • 大容量バッファで効率向上
  • OTP領域で鍵等を安全保存
  • オクタルIFで高速転送
  • SDR/DDRで高性能機器対応
  • DSで高速設計容易
  • 機能安全で車載/産業用途対応
  • 耐久均一化で長寿命
  • CRCで信頼性向上
  • ECCでデータ安全性強化
  • 多層保護でデータ損失防止

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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