Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26HS01GTGABHI020

データシート
パッケージ

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S26HS01GTGABHI020
S26HS01GTGABHI020
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    333 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S26HS01GTGABHI020
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ坝 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 260
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ坝 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 260
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The S26HS01GTGABHI020 from Infineon is a member of the high-speed SEMPER™ NOR Flash Memory Family, featuring a density of 1 Gbit. This device operates on a HYPERBUS™ interface with a bandwidth of 333 MByte/s at an operating voltage of 1.8 V. The Infineon package is classified as PG-BGA-24. Key specs include a frequency of 200 MHz (DDR) backed by Infineon's 45-nm MIRRORBIT™ technology.

機能

  • xSPI (HYPERBUS™)
  • Integrated critical safety features
  • Error correction code
  • 10+ years product availability
  • 25 years of data retention
  • SafeBoot and diagnostics

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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