Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS128SDSMFI1D1

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S25FS128SDSMFI1D1
S25FS128SDSMFI1D1
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S25FS128SDSMFI1D1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 1365
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 1365
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FS128SDSMFI1D1は128 Mbit（16 MB）のシリアルNORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用。SPIマルチI/O（シングル、デュアル、クワッド）およびDDR動作（最大80 MBps）に対応し、動作電圧は1.7 V～2.0 V、AEC-Q100 Grade 1（-40°C～+125°C）準拠。ハイブリッドまたは均一セクタ、10万回書き換え、20年データ保持を備え、車載や組込みコード保存に最適。

機能

  • シリアルペリフェラルインターフェース（SPI）
  • ダブルデータレート（DDR）対応
  • 24/32ビットアドレス選択
  • マルチI/Oコマンド対応
  • ノーマル・ファスト・デュアル・クワッド・DDRクワッドI/Oリード
  • バーストラップ・連続（XIP）・QPIモード
  • 256/512バイトページプログラムバッファ
  • 自動ECC、1ビット誤り訂正
  • ハイブリッド・ユニフォームセクター消去
  • 10万回以上の書き換え耐久性
  • 最大20年のデータ保持
  • 1.7 V～2.0 V電源電圧

利点

  • 柔軟なSPIで多様な制御に対応
  • DDR・クワッドI/Oで高速転送
  • 32ビットアドレスで大容量設計
  • マルチI/Oで高効率アクセス
  • 多様なリードモードで用途拡大
  • XIP/QPIでインプレース実行
  • 大容量バッファで高速書き込み
  • ECCでデータ信頼性向上
  • 柔軟な消去で分割容易
  • 高耐久で長寿命
  • 長期保持でデータ安全
  • 低電圧で省電力

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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