S25FS128SDSBHI200
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FS128SDSBHI200

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S25FS128SDSBHI200
S25FS128SDSBHI200


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • メモリ容量
    128 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial

OPN
S25FS128SDSBHI200
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
S25FS128SDSBHI200は128 Mbit(16 MB)のSPIマルチI/O NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術を採用しています。動作電圧は1.7 V~2.0 V、最高+125°Cの産業・車載グレード(AEC-Q100 Grade 1)に対応。クアッドモードで最大66 MBps、DDRクアッドI/Oモードで80 MBpsの読出し速度。ハイブリッド・均一セクタ選択、拡張アドレッシング、自動ECC、先進セクタ保護、20年データ保持を備えています。

特長

  • シリアルペリフェラルインターフェース(SPI)
  • ダブルデータレート(DDR)対応
  • 24/32ビットアドレス選択
  • マルチI/Oコマンド対応
  • ノーマル・ファスト・デュアル・クワッド・DDRクワッドI/Oリード
  • バーストラップ・連続(XIP)・QPIモード
  • 256/512バイトページプログラムバッファ
  • 自動ECC、1ビット誤り訂正
  • ハイブリッド・ユニフォームセクター消去
  • 10万回以上の書き換え耐久性
  • 最大20年のデータ保持
  • 1.7 V~2.0 V電源電圧

利点

  • 柔軟なSPIで多様な制御に対応
  • DDR・クワッドI/Oで高速転送
  • 32ビットアドレスで大容量設計
  • マルチI/Oで高効率アクセス
  • 多様なリードモードで用途拡大
  • XIP/QPIでインプレース実行
  • 大容量バッファで高速書き込み
  • ECCでデータ信頼性向上
  • 柔軟な消去で分割容易
  • 高耐久で長寿命
  • 長期保持でデータ安全
  • 低電圧で省電力

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ