Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FL256SAGNFI001

データシート
パッケージ
ソフトウェア
EA.
個の在庫あり

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S25FL256SAGNFI001
S25FL256SAGNFI001
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S25FL256SAGNFI001
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18827)
包装サイズ 2050
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18827)
包装サイズ 2050
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
S25FL256SAGNFI001は256 Mb（32 MB）のSPIマルチI/O NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用し、最大133 MHz（SDR）、80 MHz（DDR）の高速読み出しと迅速なプログラム／消去性能を実現します。シングル、デュアル、クワッドSPI、24/32ビット拡張アドレッシング対応、コア電圧2.7～3.6 V、I/O電圧1.65～3.6 V。AEC-Q100認定、10万回書き換え、20年データ保持、先進セクタ保護、-40°C～+125°C動作でコード格納や車載用途に最適です。

特長

  • MIRRORBIT™技術で1セル2ビット保存
  • Eclipseアーキ高速書込/消去
  • SPIマルチI/O：x1/x2/x4対応
  • SDR/DDR読出最大80 MBps
  • 256B/512Bページ書込バッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTP領域
  • 高度なセクタ/ブロック保護
  • コア2.7-3.6 V、I/O 1.65-3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 大容量で信頼性高いデータ保存
  • 高速書込/消去で性能向上
  • 柔軟I/Oで幅広い互換性
  • 高速読出でXIPに最適
  • 効率的な書込バッファで高速化
  • 多様な消去で旧設計移行容易
  • 長寿命で保守負担軽減
  • 長期データ保持で信頼性
  • OTP領域でセキュリティ向上
  • 強力な保護でデータ損失防止
  • 広電圧範囲で多様な機器対応
  • 広温度範囲で過酷環境対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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