S25FL256SAGMFMG10
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S25FL256SAGMFMG10

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S25FL256SAGMFMG10
S25FL256SAGMFMG10
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製品仕様情報

推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
S25FL256SAGMFMG10は256 Mb（32 MB）の車載グレードSPI NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャにより高速なプログラム・消去性能を実現します。SPIマルチI/O（シングル・デュアル・クワッド）と最大133 MHzクロック、DDRリードコマンドに対応。2.7 V～3.6 V（コア）、1.65 V～3.6 V（I/O）動作、AEC-Q100 Grade 1（-40°C～+125°C）認定、高度なセクタ保護、10万回書換、20年データ保持。

特長

  • MIRRORBIT™技術で1セル2ビット保存
  • Eclipseアーキ高速書込/消去
  • SPIマルチI/O：x1/x2/x4対応
  • SDR/DDR読出最大80 MBps
  • 256B/512Bページ書込バッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTP領域
  • 高度なセクタ/ブロック保護
  • コア2.7-3.6 V、I/O 1.65-3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 大容量で信頼性高いデータ保存
  • 高速書込/消去で性能向上
  • 柔軟I/Oで幅広い互換性
  • 高速読出でXIPに最適
  • 効率的な書込バッファで高速化
  • 多様な消去で旧設計移行容易
  • 長寿命で保守負担軽減
  • 長期データ保持で信頼性
  • OTP領域でセキュリティ向上
  • 強力な保護でデータ損失防止
  • 広電圧範囲で多様な機器対応
  • 広温度範囲で過酷環境対応

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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