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JANTXV2N6790

データシート
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JANTXV2N6790
JANTXV2N6790
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    2.25 A
  • ID (@25°C) max
    3.5 A
  • QPL型番
    2N6790
  • RDS (on) (@25°C) max
    800 mΩ
  • VBRDSS min
    200 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QPL
推奨
OPN
JANTXV2N6790EWSA1
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
JANTXV2N6790 is a high reliability, 200V, single, N-channel MOSFET in a TO-205AF package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications. It has TXV level screening and is suitable for defense applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }