JANSR2N7666T1
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JANSR2N7666T1

From -30 V to -200 V, DLA-qualified for space applications
データシート
パッケージ

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JANSR2N7666T1
JANSR2N7666T1
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7666T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    34 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    Low-Ohmic TO-254AA
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Rad hard, -200V, -45A, P-channel MOSFET, R9 in Low-Ohmic TO-254AA package - 100 krad(Si) TID, QPL

特長

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Low RDS(on)
  • Improved SOA for linear mode operation
  • Fast switching
  • Low total gate charge
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Electrically isolated
  • Ceramic eyelets
  • Light Weight
  • Surface mount
  • ESD rating: Class 1B per MIL-STD-750, Method 1020

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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