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JANSR2N7580T1

データシート
パッケージ

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JANSR2N7580T1
JANSR2N7580T1
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    170 nC
  • QPL型番
    2N7580T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    11 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
R6 technology is the basis of rad hard 100V, 45A N-channel MOSFET JANSR2N7580T1 in a TO-254AA low ohmic package. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, these QPL-qualified MOSFETs are ideal for space applications. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses, making them suitable for DC-DC converters and motor controllers. Fast switching, voltage control, and temperature stability make these MOSFETs a reliable choice.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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