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JANSR2N7580T1

データシート
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JANSR2N7580T1
JANSR2N7580T1
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 C
  • QPL型番
    2N7580T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
R6 technology is the basis of rad hard 100V, 45A N-channel MOSFET JANSR2N7580T1 in a TO-254AA low ohmic package. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, these QPL-qualified MOSFETs are ideal for space applications. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses, making them suitable for DC-DC converters and motor controllers. Fast switching, voltage control, and temperature stability make these MOSFETs a reliable choice.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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