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JANSR2N7380U3

データシート
パッケージ

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JANSR2N7380U3
JANSR2N7380U3
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    9.1 A
  • ID (@25°C) max
    14.4 A
  • QG
    40 nC
  • QPL型番
    2N7380U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The JANSR2N7380U3 is a single N-channel MOSFET in SMD-0.5 package, with electrical performance up to 100krad(Si) TID and QPL qualification. Its rad hard R4 HEXFET technology provides reliable power MOSFETs for space applications with 100V and 9.1A ratings. Low RDS(on) and low gate charge make it ideal for DC-DC converters and motor control.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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