JANSR2N7269
Active and preferred

JANSR2N7269

データシート
パッケージ

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JANSR2N7269
JANSR2N7269
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    16 A
  • ID (@25°C) (最大)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL型番
    2N7269
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    100 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The N-channel MOSFET JANSR2N7269 is a single device with 200V and 26A capabilities, packaged in TO-254AA. It is radiation-hardened up to 100krad(Si) TID and QPL-qualified, featuring low RDS(on) and gate charge for reduced power losses in switching applications. MOSFET advantages such as voltage control, fast switching, and temperature stability are retained.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ