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JANSR2N7269

データシート
パッケージ

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JANSR2N7269
JANSR2N7269
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL型番
    2N7269
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The N-channel MOSFET JANSR2N7269 is a single device with 200V and 26A capabilities, packaged in TO-254AA. It is radiation-hardened up to 100krad(Si) TID and QPL-qualified, featuring low RDS(on) and gate charge for reduced power losses in switching applications. MOSFET advantages such as voltage control, fast switching, and temperature stability are retained.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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