JANSG2N7269U
Active and preferred

JANSG2N7269U

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSG2N7269U
JANSG2N7269U
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    16 A
  • ID (@25°C) (最大)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL型番
    2N7269U
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    100 mΩ
  • TID (最大)
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The N-channel MOSFET JANSG2N7269U is a single, rad hard device that can withstand up to 200V and 26A. Offered in SMD-1 packaging, this QPL-qualified R4 MOSFET delivers electrical performance up to 500krad(Si) TID. HEXFET technology offers low RDS(on) and gate charge, making it perfect for switching applications. Its proven reliability and performance are designed for space applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }