ISZ106N12LM6
Active and preferred
RoHS対応

ISZ106N12LM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET logic level 120 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
データシート
パッケージ

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ISZ106N12LM6
ISZ106N12LM6
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    62 A
  • IDpuls (最大)
    248 A
  • Ptot (最大)
    94 W
  • QG (typ @4.5V)
    10.4 nC
  • QG (typ @10V)
    19.6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    10.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    14.2 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 予算価格€/ 1k
    0.71
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
ISZ106N12LM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance. ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family .

特長

  • Features: 58% better RDS(on)
  • up to 66% better FOMg
  • Up to 90% better Qrr
  • Up to 35% better FOMoss

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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