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ISK018NE1LM7

OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 2x2
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISK018NE1LM7
ISK018NE1LM7
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    129 A
  • QG (typ @4.5V)
    7.5 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.15 mΩ
  • VDS max
    15 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 予算価格€/ 1k
    0.37
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Switching optimized
推奨
OPN
ISK018NE1LM7ATSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
ISK018NE1LM7 is part of the first 15 V rated trench power MOSFETs portfolio in the industry, featuring very low RDS(on) of 2.15 mOhm while offering a pulsed current capability of more than 500 A, with a typical thermal resistance junction to case-bottom (RthJC) of 1.6 K/W. The small 4 mm2 footprint package enables significant space saving with PCB layout flexibility while having form factor improvement.

機能

  • New 15 V trench power MOSFET technology
  • RDS(on) of 2.15 mOhm
  • Qg of 9 nC, QOSS of 8,9 nC
  • Ultra-low package parasitics
  • Small package outline

利点

  • Top fit in high-ratio DC-DC conversion
  • Reduced conduction losses
  • High efficiency
  • Best switching performance
  • Enables significant space saving

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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