ISK018NE1LM7
Active and preferred
RoHS対応

ISK018NE1LM7

OptiMOS™ 7 power MOSFET 15 V in PQFN 2x2
データシート
パッケージ
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在庫あり

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ISK018NE1LM7
ISK018NE1LM7
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    129 A
  • QG (typ @4.5V)
    7.5 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.15 mΩ
  • VDS (最大)
    15 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 予算価格€/ 1k
    0.37
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Switching optimized
推奨
OPN
ISK018NE1LM7ATSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
ISK018NE1LM7 is part of the first 15 V rated trench power MOSFETs portfolio in the industry, featuring very low RDS(on) of 2.15 mOhm while offering a pulsed current capability of more than 500 A, with a typical thermal resistance junction to case-bottom (RthJC) of 1.6 K/W. The small 4 mm2 footprint package enables significant space saving with PCB layout flexibility while having form factor improvement.

特長

  • New 15 V trench power MOSFET technology
  • RDS(on) of 2.15 mOhm
  • Qg of 9 nC, QOSS of 8,9 nC
  • Ultra-low package parasitics
  • Small package outline

利点

  • Top fit in high-ratio DC-DC conversion
  • Reduced conduction losses
  • High efficiency
  • Best switching performance
  • Enables significant space saving

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ