新規
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RoHS準拠

ISC025N08NM6

新規
SuperSO8のOptiMOS™ 6 nチャネル パワーMOSFET (80 V)
データシート
パッケージ

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ISC025N08NM6
ISC025N08NM6
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    171 A
  • IDpuls (最大)
    684 A
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.5 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.4 V ～ 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISC025N08NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
80 V OptiMOS™ 6パワーMOSFET: 業界ベンチマークの性能を提供する最新のパワーMOSFET技術。 前身の OptiMOS™ 5 と比較して、インフィニオンの最新ウェーハ技術は大幅な性能向上を実現しています。D2PAK 7Pinでは、RDS (on)が 21% 以上低減し、FOMQgx RDS (on)が約 40% 向上しています。これらの性能向上により、システム効率と電力密度が向上します。

特長

  • 高性能シリコン技術
  • 用途に適したRDS (on)オプション
  • 低い上面 RthJC(0.72 K/W)
  • 標準レベルのゲートドライブ
  • 175℃定格
  • 産業用途向け認定

利点

  • OptiMOS™ 5よりも低い導通損失
  • OptiMOS™ 5よりも低いスイッチング損失
  • 放熱性の向上
  • 電力性能の向上、SOAアバランシェ電流
  • 堅牢で信頼性の高い性能

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }