ISC016N08NM8
Active and preferred
RoHS対応

ISC016N08NM8

OptiMOS™ 8 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
データシート

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ISC016N08NM8
ISC016N08NM8
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    241 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    964 A
  • Ptot (@25°C) (最大)
    211 W
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.64 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC016N08NM8ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This OptiMOS™ 8 is a normal level 80 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 1.6 mOhm on-resistance.

特長

  • Very low on-resistance
  • High-performance silicon technology
  • High current carrying capability
  • Industry-standard footprint

利点

  • Highest efficiency & power density
  • High system reliability
  • Thermal robustness
  • 175°C junction temperature rating
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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