ISC016N08NM8
Active and preferred
RoHS対応

ISC016N08NM8

OptiMOS™ 8 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
データシート
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISC016N08NM8
ISC016N08NM8
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    241 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    964 A
  • Ptot (@25°C) (最大)
    211 W
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.64 mΩ
  • Special Features
    Fused leads
  • VDS (最大)
    80 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
ISC016N08NM8ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT
個.
在庫あり
This OptiMOS™ 8 is a normal level 80 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 1.6 mOhm on-resistance.

特長

  • Very low on-resistance
  • High-performance silicon technology
  • High current carrying capability
  • Industry-standard footprint

利点

  • Highest efficiency & power density
  • High system reliability
  • Thermal robustness
  • 175°C junction temperature rating
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ