新規
Active and preferred
RoHS準拠

ISC015N06NM5

新規
OptiMOS™ 5 60 V Switching-OptimizeパワーMOSFET（PQFN 5x6ドレインダウンパッケージ）
データシート
パッケージ

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ISC015N06NM5
ISC015N06NM5
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    259 A
  • IDpuls (最大)
    1036 A
  • Ptot (最大)
    188 W
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.5 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.1 V ～ 3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISC015N06NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 5 Switching-OptimizedパワーMOSFET (60 V、PQFN 5x6ドレインダウン パッケージ) は、AI、データセンター、通信の電力変換向けに低RDS(on)、スイッチング損失の低減、強力な熱性能を実現します。ドレインダウンDSC 5x6パッケージは、高電流密度とコンパクトな電源アーキテクチャを実現し、高密度データセンター サーバーのGPU/アクセラレーター レールの効率、過渡特性、信頼性の目標を満たします。

特長

  • 低RDS(on)、最適化されたスイッチング損失
  • 高速スイッチングのための低インダクタンス
  • 低電圧オーバーシュート
  • 高度なAIトポロジー向けに最適化
  • 高周波向けの低Qg/Qoss
  • PQFN 5x6、両面放熱パッケージ

利点

  • 使いやすさ
  • 最高のシステム効率
  • 低い伝導損失とスイッチング損失
  • 高い変換効率、低い発熱
  • ベンチマークとなる信頼性
  • 高い電力密度

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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